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하기 화학식 1로 표시되는, 불소가 치환된 테트라페닐 유도체
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제 1 항에 있어서, A는 -P(OCH2CH3)2 또는 -P(C6H5)3인 불소가 치환된 테트라페닐 유도체
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하기 반응식 1의 비스(할로메틸) 테트라페닐 유도체를 구조식 A'의 화합물과 반응시켜서 얻어지는 화학식 1의 불소가 치환된 테트라페닐 유도체의 제조방법
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제 3 항에 있어서, X는 Br이고, A는 -P(OCH2CH3)2 또는 -P(C6H5)3이며, A'는 P(OCH2CH3)3 또는 P(C6H5)3인 불소가 치환된 테트라페닐 유도체의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 4-브로모 톨루엔을 마그네슘과 반응시켜 그리냐드(Grignard) 시약인 4-톨루일 마그네슘 브로마이드를 얻은 후, 이를 데카플루오로바이페닐과 그리냐드 반응시켜서 반응식 2의 디메틸 옥타플루오로 테트라페닐을 얻는 단계, 상기에서 얻은 테트라페닐을 브롬화 시약으로 브롬화하여 반응식 2의 비스(브로모메틸) 테트라페닐 유도체를 얻는 단계를 더 포함하는 불소가 치환된 테트라페닐 유도체의 제조방법
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화학식 2로 표시되는, 발광 고분자
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7
제 6 항에 있어서, -Ar-은
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제 7 항에 있어서, R1은 2-에틸헥실이거나, R2는 메톡시이고 R3는 (3,7-디메틸)옥틸옥시 이거나, R4 및 R5는 헥실기 인 발광 고분자
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9
화학식 1의 테트라페닐 유도체와 반응식 3의 디알데히드 화합물을 반응시켜서 얻는, 화학식 2로 표시되는 발광 고분자의 제조방법
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10
제 9 항에 있어서, -Ar-은
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제 9 항에 있어서, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 (tetramethylammonium hydroxide)을 촉매로 사용하는 발광 고분자의 제조방법
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12
제 6 항 내지 제 8 항의 발광 고분자로 형성되는 고분자 발광층을 포함하는 전기 발광 소자
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13
제 12 항에 있어서, 기판 상부에 반투명 전극, 상기 고분자 발광층, 금속 전극이 순차적으로 형성된 단일층 전기 발광 소자
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제 12 항에 있어서, 기판 상부에 반투명 전극, 정공 수송층, 상기 고분자 발광층, 전자 수송층 및 금속 전극이 순차적으로 형성된 다층 박막 전기 발광 소자
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15
제 12 항에 있어서, 상기 고분자 발광층은 상기 고분자와 전자 또는 전공 수송 고분자를 블랜딩하여 형성되는 전기 발광 소자
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16
제 15 항에 있어서, 상기 수송 고분자는 PVK(polyvinylcarbazole)인 전기 발광 소자
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