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반도체 기판; 상기 반도체 기판 표면의 전체 상에 성장시킨 첫 번째 브래그(DBR) 거울층; 상기 첫 번째 브래그 거울층의 전체 상에 성장시킨 활성층; 상기 활성층의 전체 상에 성장시킨 두꺼운 내부공진접촉층; 상기 내부공진접촉층의 일부 상에 메사구조로 형성된 무도핑의 두 번째 브래그 거울층; 및 상기 내부공진접촉층 및 상기 두 번째 브래그 거울층 상에 형성된 전극을 포함하고, 상기 내부공진접촉층은 열전도도가 상기 두 번째 브래그 거울보다 최소한 5배 이상 크고, 두께가 최소한 활성층 두께의 0
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제1항에 있어서, 상기 메사 구조를 마스크로 사용하여 이온주입함으로써 상기 메사 구조의 아래부분은 보호되고 그것의 바깥 부분들의 아래에 있는 상기 활성층과 상기 첫 번째 거울층의 경계면을 포함하여 형성된 이온주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저
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제2항에 있어서, 상기 메사 구조 및 상기 이온주입층에 의하여 전류가 상기 내부공진접촉층 상의 전극으로부터 상기 내부공진접촉층을 통과하여 상기 메사 구조의 하부에 있는 활성층으로 도달하는 전류유도구경을 형성하는 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저
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제3항에 있어서, 상기 활성층에서 발행한 열은 상기 전류유도구경에 의하여 흐르는 전류와 반대방향으로 상기 내부공진접촉층을 통과하여 그것 상에 형성된 전극을 통하여 배출되는 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저
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제4항에 있어서, 열방출을 효율적으로 하기 위하여 공기중에 드러난 전극의 두께는 5000Å 이상인 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저
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제5항에 있어서, 상기 전극은 금(Au)로 형성되는 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저
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제2항에 있어서, 상기 반도체 기판은 n형 InP 반도체 기판이고, 상기 첫 번째 브래그 거울층은 n형이며, 상기 내부공진접촉층은 p형 인 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저
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제7항에 있어서, 상기 내부공진접촉층은 InP인 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저
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제7항에 있어서, 상기 모든 층들은 InP 기판에 격자정합이 이루어지는 조성으로 선택되는 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저
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반도체 기판 전면에 첫 번째 브래그(DBR) 거울층을 성장시키는 단계; 상기 첫 번째 거울층 전체 상에 클래딩/다중양자우물/클래딩으로 구성되는 활성층을 성장시키는 단계; 상기 활성층 전체 상에 두꺼운 내부공진접촉층을 성장시키는 단계; 상기 내부공진접촉층 전체 상에 무도핑된 두 번째 브래그 거울층을 성장시키는 단계; 상기 기판에 첫 번째 소자패턴을 형성한 후 패턴이 있는 부분만 남겨놓고 나머지 부분을 상기 내부공진접촉층의 표면까지 식각해 내어 메사 구조를 형성하는 단계; 상기 메사구조를 마스크로 사용하여 표면으로부터 강한 에너지의 이온을 주입하여 상기 활성층과 상기 내부공진접촉층의 경계면에 걸쳐 이온주입층을 형성하는 단계; 열처리하여 이온주입에 의하여 파괴된 내부공진접촉층을 회복하는 단계; 및 상기 내부공진접촉층 및 상기 두 번째 거울층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기에서, 상기 내부공진접촉층은 열전도도가 상기 두 번째 브래그 거울보다 최소한 5배 이상 크고, 두께가 최소한 활성층 두께의 0
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제10항에 있어서, 열방출을 효율적으로 하기 위하여 공기중에 드러난 전극의 두께는 5000Å 이상인 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 전극은 금(Au)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 메사구조를 형성하기 위한 식각은 활성이온식각법 또는 활성이온빔식각법을 사용하여 상기 내부공진접촉층의 표면까지 정밀하게 식각한 후 남아있는 미량의 상기 상부거울층 물질을 제거하기 위하여 상기 내부공진접촉층에 대하여 식각선택성이 있는 용액에 의하여 습식식각을 수행함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 두 번째 거울층(상부거울층)이 InAlGaAs 계열이고 상기 내부공진접촉층이 InP인 경우 인산 계열을 상기 습식식각을 위한 식각용액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출레이저의 제조방법
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