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실리콘기판, 매몰절연막 및 실리콘막이 순차적으로 적층된 구조물을 마련하는 단계; 상기 실리콘막을 패터닝하여 상기 매몰절연막의 일부 표면만을 덮는 실리콘막패턴을 형성하는 단계; 상기 실리콘막패턴 및 매몰절연막의 노출표면 위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 위에 상기 실리콘막패턴과 교차하는 바 형태의 마스크막패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크막패턴을 식각마스크로 한 식각공정으로 상기 절연막의 일부를 제거하여 상기 실리콘막패턴의 일부표면을 노출시키는 절연막패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크막패턴을 제거하고 전면에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막과 실리콘막패턴이 접하는 부분에 금속실리사이드막을 형성하고,나머지 부분에 남아있는 금속막을 제거하는 단계; 및 상기 절연막패턴 및 실리콘막패턴을 순차적으로 제거하여 상기 금속실리사이드막을 상호 이격되도록 하여 각각 제1 전극 및 제2 전극으로 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노크기의 반도체소자의 전극제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘막패턴을 형성하는 단계는, 상기 실리콘막 위에 형성하고자 하는 전극형상의 마스크막패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크막패턴을 식각마스크로 한 식각공정으로 상기 실리콘막의 노출부분을 제거하여 상기 매몰절연막의 일부 표면을 노출시키는 실리콘막패턴을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘막패턴을 덮는 마스크막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노크기의 반도체소자의 전극제조방법
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제1항에 있어서, 상기 마스크막패턴은 포토리소그라피법 또는 전자빔리소그라피법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노크기의 반도체소자의 전극제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속실리사이드막을 형성하는 단계는 급속열처리를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 나노크기의 반도체소자의 전극제조방법
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제4항에 있어서, 상기 금속실리사이드막 형성을 위한 급속열처리는, 상기 금속실리사이드막이 상기 절연막패턴의 하부에서 남는 실리콘막패턴에 의해 이격되되, 상기 금속실리사이드막의 간격이 상기 절연막패턴의 폭보다 작아지도록 상기 금속막이 상기 절연막패턴의 하부의 실리콘막패턴과 반응되도록 수행하는 것을 특징으로 하는 나노크기의 반도체소자의 전극제조방법
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