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선입선출 메모리 회로 및 그 구현 방법

  • 기술번호 : KST2015098938
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원발명은 저속의 복수개 메모리를 이용하여 고속의 선입선출 동작을 수행하는 선입선출 메모리 회로는 표준 라이브러리 메모리를 이용한 선입선출 메모리 회로에 관한 것으로, N(N>1) 개의 동기식 듀얼 포트 메모리들로 구성된 메모리 블록과, N 개의 동기식 듀얼 포트 메모리들의 읽기 어드레스를 지정하는 단일 읽기 포인터와, N 개의 메모리들의 쓰기 어드레스를 지정하는 단일 쓰기 포인터와, 읽기/쓰기 어드레스에 따라 N 개의 메모리들 중에서 어느 하나의 메모리를 선택하고, 소스 클럭 신호를 n(n=N, n>1) 분주된 n 개의 읽기/쓰기 클럭 신호로 생성하며, 1/n 주기 차이를 갖는 n 개의 읽기/쓰기 클럭 신호를 상기 선택된 메모리부터 해당 메모리에 직접 분배하여 데이터를 입출력시키는 메모리 제어부를 포함한다. 이와 같이, 본 발명은 주문형 반도체 설계에 있어서 표준 라이브러리(standard cell library)를 이용하여 생성된 저속 메모리로 고속의 선입선출 메모리 구성이 가능하므로, 메모리와 일반 로직 회로의 속도 격차에 따른 선입선출 메모리의 비효율성을 제거하고, 간단하면서도 효율적인 제어회로를 통하여 설계시간의 단축과 공정/설계 변경에 따른 설계 비용을 최소화 할 수 있다.
Int. CL G11C 7/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020066844 (2002.10.31)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0498233-0000 (2005.06.21)
공개번호/일자 10-2004-0037989 (2004.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20050701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영우 대한민국 서울특별시노원구
2 이재성 대한민국 대전광역시서구
3 박경 대한민국 대전광역시서구
4 모상만 대한민국 대전광역시유성구
5 김용연 대한민국 대전광역시유성구
6 김명준 대한민국 대전광역시유성구
7 임기욱 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2002-0360233-36
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0311271-49
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0430120-20
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0495443-18
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0562402-18
6 의견서
Written Opinion
2004.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0562403-53
7 등록결정서
Decision to grant
2005.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0218619-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
표준 라이브러리의 동기식 듀얼 포트 메모리를 이용한 선입선출 메모리 회로에 있어서, N(N>1) 개의 동기식 듀얼 포트 메모리들로 구성된 메모리 블록과, 상기 N 개의 동기식 듀얼 포트 메모리들의 읽기 어드레스를 지정하는 단일 읽기 포인터와, 상기 N 개의 동기식 듀얼 포트 메모리들의 쓰기 어드레스를 지정하는 단일 쓰기 포인터와, 상기 읽기/쓰기 어드레스에 따라 상기 N 개의 메모리들 중에서 어느 하나의 메모리를 선택하고, 소스 클럭 신호를 n(n=N, n>1) 분주된 n 개의 읽기/쓰기 클럭 신호로 생성하며, 상기 1/n 주기 차이를 갖는 n 개의 읽기/쓰기 클럭 신호를 상기 선택된 메모리부터 해당 메모리에 직접 분배하여 데이터를 입출력시키는 메모리 제어부를 포함하는 선입선출 메모리 회로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 메모리 제어부는, 상기 소스 클럭 신호를 n 분주시켜 n 개의 클럭 신호를 생성시키는 클럭 분주기와, 상기 n 개의 클럭 신호를 상기 어드레스에 따라 n 개의 읽기/쓰기 클럭 신호로 분배시키는 클럭 분배기와, 상기 읽기 어드레스를 기 설정된 만큼 감산시키는 감산기와, 상기 읽기 클럭 신호에 따라 메모리들에서 출력되는 데이터들 중에서 어느 하나를 선택하기 위한 선택 신호를 출력하는 선택기를 포함하는 선입선출 메모리 회로
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 선입선출 메모리 회로는, 상기 선택 신호에 응답하여 상기 메모리 블록에서 출력되는 데이터들 중 선택하여 출력하는 출력 다중화기를 포함하는 선입선출 메모리 회로
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 n 개의 클럭 신호들은, 서로 1/n 주기 차를 갖는 것을 특징으로 하는 선입선출 메모리 회로
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 감산기는, 상기 읽기 어드레스 값을 “1”만큼 감산시켜 출력시키는 것을 특징으로 하는 선입선출 메모리 회로
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 클럭 분배기는, 상기 읽기/쓰기 어드레스 값에 따라 상기 클럭 분주기에서 생성된 n 개의 클럭 신호를 인터리브된 메모리 블록의 메모리들에게 직접 분배시키는 것을 특징으로 하는 선입선출 메모리 회로
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 메모리 블록은, N 개의 동기식 듀얼 포트 메모리들이 적어도 하나 이상의 짝수 번지 메모리와 홀수번지 메모리로 인터리브하게 이루어지며, 상기 읽기/쓰기 어드레스의 최하위비트를 사용하여 각각의 메모리를 선택할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 선입선출 메모리 회로
8 8
N 개의 동기식 듀얼 포트 메모리를 선입선출 동작시키는 선입선출 메모리 회로의 동작 방법에 있어서, 상기 선입선출 메모리 회로에 입력되는 소스 클럭 신호를 n 분주된 n 개의 클럭 신호로 생성하는 단계와, 상기 읽기/쓰기 포인터로부터 읽기/쓰기 어드레스를 입력받는 단계와, 상기 읽기/쓰기 어드레스에 따라 상기 N 개의 메모리들 중에서 어느 하나를 선택하는 단계와, 상기 읽기/쓰기 어드레스에 따라 1/n 주기 차이를 가지도록 상기 각각의 n 개 클럭 신호를 상기 선택된 메모리부터 해당 메모리까지 분배하여 출력하는 단계와, 상기 출력된 클럭 신호에 동기하여 데이터를 입출력시키는 단계를 포함하는 선입선출 메모리 회로의 구현 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 선입선출 메모리 회로의 읽기 동작 시에, 상기 읽기 어드레스 값을 기 설정된 값으로 감소시킨 후에, 상기 감소된 어드레스 값을 이용하여 상기 각각의 n 개의 클럭 신호를 상기 선택된 메모리부터 해당 메모리까지 분배시키는 것을 특징으로 하는 선입선출 메모리 회로의 구현 방법
10 9
제 8 항에 있어서, 상기 선입선출 메모리 회로의 읽기 동작 시에, 상기 읽기 어드레스 값을 기 설정된 값으로 감소시킨 후에, 상기 감소된 어드레스 값을 이용하여 상기 각각의 n 개의 클럭 신호를 상기 선택된 메모리부터 해당 메모리까지 분배시키는 것을 특징으로 하는 선입선출 메모리 회로의 구현 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06853588 US 미국 FAMILY
2 US20040085817 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2004085817 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6853588 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.