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박막형 비선형 전류 특성을 가지는 광소자의 제조 방법과 이를 이용한 포토 트랜지스터

기술번호 : KST2015099132
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	박막형 비선형 전류 특성을 가지는 광소자의 제조 방법과 이를 이용한 포토 트랜지스터가 개시된다. 본 발명에 따른 광소자는 아르곤 분위기에서 스퍼터링 증착법을 이용하여 산화아연 박막을 증착하고, 산화아연 박막을 산소분위기에서 열처리하는 공정을 통해 제조되며, 제조 공정 시에 질소를 첨가하거나 산화아연 박막의 광에 노출되는 수광면적을 충분히 크게 하여 박막의 비선형계수와 광 민감도를 크게 향상시킨다.
Int. CL	H01C 7/10 (2006.01)
CPC	H01C 7/10(2013.01) H01C 7/10(2013.01) H01C 7/10(2013.01) H01C 7/10(2013.01)
출원번호/일자	1020080101118 (2008.10.15)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2010-0012783 (2010.02.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020080074095 \| 2008.07.29
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.10.15)
심사청구항수	6

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	임정욱	대한민국	대전 유성구
2	김준관	대한민국	대전 유성구
3	윤선진	대한민국	대전 유성구
4	김현탁	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.10.15	수리 (Accepted)	1-1-2008-0717526-00
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2010.01.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2010.02.16	수리 (Accepted)	9-1-2010-0010855-80
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.06.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0258629-10
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2010.08.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0510592-18
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.08.09	수리 (Accepted)	1-1-2010-0510591-62
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.12.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0576506-73
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.02.01	수리 (Accepted)	1-1-2011-0082248-88
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.02.01	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0082250-70
11	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2011.06.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0337438-17
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 아르곤 분위기에서 스퍼터링 증착법을 이용하여 산화아연 박막을 증착하는 단계; 및 상기 산화아연 박막을 산소분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 비선형 전류 특성을 가지는 광소자의 제조 방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 증착하는 단계는, 질소를 첨가하여 상기 산화아연 박막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 비선형 전류 특성을 가지는 광소자의 제조 방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 증착하는 단계는, 면적에 비례하는 비선형계수를 갖는 상기 산화아연 박막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 비선형 전류 특성을 가지는 광소자의 제조 방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 증착하는 단계는, 상기 산화아연 박막의 면적이 900 μm2 보다 크도록 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 비선형 전류 특성을 가지는 광소자의 제조 방법
5	5 제 1항에 있어서, 상기 산화아연 박막의 양 단에 Al, Ag, Pt, Au, Cu, Fe, Ti, Mo, Cr, W, TiN, WN, ITO, Ir 및 그 산화물, Ru 및 그 산화물, AlZnO 중 어느 하나를 전극으로 증착하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 비선형 전류 특성을 가지는 광소자의 제조 방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 산화아연 박막의 양 단에 ITO, Ru, Ir의 산화물, AlZnO의 산화물 중 어느 하나로 구성되는 투명한 박막을 전극으로 증착하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 비선형 전류 특성을 가지는 광소자의 제조 방법
7	7 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드에서 방출되는 빛에 반응하여 비선형 전류 특성을 나타내는 광소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 트랜지스터
8	8 제 7항에 있어서, 상기 광소자는 스퍼터링 증착법에서 질소를 첨가하여 증착된 산화아연 박막인 것을 특징으로 하는 포트 트랜지스터

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부 및 정보통신연구진흥원	한국전자통신연구원		전기적 점프(Current Jump)를 이용한 신소자 기술

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.10.15	수리 (Accepted)	1-1-2008-0717526-00
2	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
3	선행기술조사의뢰서	2010.01.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2010.02.16	수리 (Accepted)	9-1-2010-0010855-80
5	의견제출통지서	2010.06.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0258629-10
6	[명세서등 보정]보정서	2010.08.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0510592-18
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.08.09	수리 (Accepted)	1-1-2010-0510591-62
8	의견제출통지서	2010.12.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0576506-73
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.02.01	수리 (Accepted)	1-1-2011-0082248-88
10	[명세서등 보정]보정서	2011.02.01	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0082250-70
11	거절결정서	2011.06.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0337438-17
12	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415086712
세부과제번호	A1100-0801-3002
연구과제명	(국문)전기적점프를이용한신소자기술
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2008
연구기간	200803~201302
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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