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수광 소자;다수개의 트랜스퍼 게이트를 구비하는 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하며, 상기 수광소자에서 발생한 광전하를 전압으로 변환하여 출력하는 신호변환부; 및한 번의 감광 주기 동안, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 다수개의 트랜스퍼 게이트에 리셋 및/또는 트랜스퍼 신호를 2회 이상 인가하여 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널의 딥디플리션 상태에서 상기 수광소자의 광전하를 이동시키는 센싱제어부를 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 센싱 제어부는,하나의 리셋 구간 동안 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 대한 리셋 신호를 2회 이상 발하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제2항에 있어서, 상기 리셋 신호들 중 마지막 리셋 신호의 활성화 시간이 가장 긴 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제2항에 있어서,상기 리셋 신호들 중 적어도 하나 이상의 신호는, 그 턴오프 전압이 접지 전압보다 낮은 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제2항에 있어서, 상기 트랜스퍼 신호들 중 적어도 하나 이상의 신호에서는, 상기 수광 소자와 가장 인접한 트랜스퍼 게이트에 인가하는 턴온 전압의 레벨이 가장 높은 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 센싱 제어부는,하나의 트랜스퍼 구간 동안 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 대한 트랜스퍼 신호를 2회 이상 발하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제6항에 있어서, 상기 트랜스퍼 신호들 중 마지막 트랜스퍼 신호의 활성화 시간이 가장 긴 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제6항에 있어서,상기 트랜스퍼 신호들 중 적어도 하나 이상의 신호는, 그 턴오프 전압이 접지 전압보다 낮은 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제6항에 있어서, 상기 트랜스퍼 신호들 중 적어도 하나 이상의 신호에서는, 상기 수광 소자와 가장 인접한 트랜스퍼 게이트에 인가하는 턴온 전압의 레벨이 가장 높은 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 수광소자는,포토다이오드, 핀드 포토다이오드, 포토트랜지스터 또는 포토게이트인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 신호 변환부는,상기 트랜스퍼 트랜지스터에 의해 상기 수광소자의 전하가 옮겨지는 확산 노드; 및상기 확산 노드를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터를 더 포함하고,상기 센싱 제어부는, 상기 리셋 트랜지스터의 게이트에 인가되는 턴온/턴오프 신호를 발하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제10항에 있어서, 상기 신호 변환부는,상기 확산 노드에 실린 감광 신호를 증폭하기 위한 드라이빙 트랜지스터; 및상기 신호 변환부와 수광 소자로 이루어지는 각 픽셀을 선택하기 위한 셀렉트 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 각 게이트에 인가되는 리셋 신호는,이웃한 트랜스퍼 트랜지스터의 리셋 신호와 일부 시간 영역이 중첩되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 각 게이트에 인가되는 트랜스퍼 신호는,이웃한 트랜스퍼 트랜지스터의 트랜스퍼 신호와 일부 시간 영역이 중첩되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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수광 소자, 트랜스퍼 트랜지스터 및 확산 노드를 포함하는 CMOS 이미지 센서의 1회 센싱 주기에 수행되는 센싱 방법에 있어서,(a) 상기 트랜스퍼 트랜지스터를 턴온하여 상기 CMOS 이미지 센서의 수광 소자를 리셋시키는 단계;(b) 상기 수광 소자로 집광하는 단계; 및(c) 상기 트랜스퍼 트랜지스터를 턴온하여 상기 수광 소자에 생성된 광전하를 상기 확산 노드로 트랜스퍼하는 단계를 포함하는데,상기 (a) 단계에서 및/또는 상기 (c) 단계에서 상기 트랜스퍼 트랜지스터를 2회 이상 턴온하여 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널이 딥디플리션 상태에서 상기 수광소자의 광전하를 이동시키는 센싱 방법
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제15항에 있어서,상기 (c) 단계 이후,상기 확산 노드를 독출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제15항에 있어서, 상기 센싱 방법은, 다중 게이트 구조의 상기 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 CMOS 이미지 센서에 대하여 수행되는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제17항에 있어서, 상기 (a) 단계에서는,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 다중 게이트 중 상기 수광 소자와 가까운 것부터 순차적으로 턴온시키는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제18항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 다중 게이트 각각에 대하여 턴온시키는 리셋 신호를 인가하는데, 상기 각 리셋 신호 중 마지막 리셋 신호의 턴온시간이 가장 긴 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제17항에 있어서,상기 리셋 신호 중 적어도 하나 이상의 신호는, 그 턴오프 전압이 접지 전압보다 낮은 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제17항에 있어서, 상기 2개 이상의 리셋 신호들 중, 상기 수광 소자와 가장 인접한 트랜스퍼 게이트에 인가하는 턴온 전압의 레벨이 가장 높은 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제17항에 있어서, 상기 (c) 단계는,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 다중 게이트 중 상기 수광 소자와 가까운 것부터 순차적으로 턴온 제어 신호를 인가하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제22항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 다중 게이트 각각에 대하여 턴온시키는 트랜스퍼 신호를 인가하는데, 상기 각 트랜스퍼 신호 중 마지막 트랜스퍼 신호의 턴온시간이 가장 긴 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제17항에 있어서,상기 트랜스퍼 신호 중 적어도 하나 이상의 신호는, 그 턴오프 전압이 접지 전압보다 낮은 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제17항에 있어서, 상기 2개 이상의 트랜스퍼 신호들 중, 상기 수광 소자와 가장 인접한 트랜스퍼 게이트에 인가하는 턴온 전압의 레벨이 가장 높은 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제15항에 있어서,상기 (a) 단계에서는,이웃한 게이트에 대한 리셋 신호의 턴온시간은 일부 중첩되는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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제15항에 있어서,상기 (c) 단계에서는,이웃한 게이트에 대한 트랜스퍼 신호의 턴온시간은 일부 중첩되는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
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