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다수의 CNT 에미터가 미세 패터닝된 음극부와, 상기 CNT 에미터로부터 방출된 전자를 집속시키는 게이트부를 포함하는 전계방출부; 및
상기 전자방출부의 상부에 배치되어 상기 CNT 에미터로부터 방출된 전자를 가속시켜 전자의 충돌로 X 선을 발생시키는 양극부를 구비하되,
상기 게이트부 및 양극부는 대면적의 단일 기판으로 이루어지고,
상기 음극부는 박막 트랜지스터로 이루어지며,
상기 박막 트랜지스터에 포함된 각 트랜지스터가 상기 다수의 CNT 에미터에 각각 연결된 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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제 1항에 있어서,
상기 각 트랜지스터의 드레인에는 상기 다수의 CNT 에미터가 각각 연결되고, 게이트에는 펄스 전압이 인가되며, 소스에는 접지가 연결된 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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제 1항에 있어서,
상기 CNT 에미터로부터 방출되는 전자량과 이에 따라 상기 양극부로부터 출력되는 X선 출력량은 상기 각 트랜지스터의 게이트에 인가되는 펄스 전압에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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제 1항에 있어서,
상기 각 트랜지스터의 개별 어드레싱 동작에 따라 상기 CNT 에미터의 일부 또는 전체에서 전자가 방출되어 상기 양극부에서 X 선이 개별적으로 어드레싱되어 출력되는 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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제 1항에 있어서,
상기 각 트랜지스터의 개별 어드레싱 동작에 따라 상기 대면적의 양극부 전체 영역에서 균일한 X 선량이 출력되는 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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제 1항에 있어서,
상기 CNT 에미터는 스크린 프린팅 및 노광과 현상을 통해 상기 음극부 상에 미세 패터닝된 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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7
제 1항에 있어서,
상기 게이트부에는 상기 CNT 에미터와 동일한 피치를 갖는 다수의 게이트홀이 형성된 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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8
다중으로 배열된 다수의 개별 X 선 소자로 이루어지며,
상기 각 개별 X 선 소자는,
다수의 CNT 에미터가 미세 패터닝된 음극부와, 상기 CNT 에미터로부터 방출된 전자를 집속시키는 게이트부를 포함하는 전계방출부;
상기 전자방출부의 상부에 배치되어 상기 CNT 에미터로부터 방출된 전자를 가속시켜 전자의 충돌로 X 선을 발생시키는 양극부; 및
상기 음극부에 연결된 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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9
제 8항에 있어서,
상기 트랜지스터는 모스 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)인 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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10
제 8항에 있어서,
상기 트랜지스터의 드레인에는 상기 음극부가 연결되고, 게이트에는 펄스 전압이 인가되며, 소스에는 접지가 연결된 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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11
제 8항에 있어서,
상기 CNT 에미터로부터 방출되는 전자량과 이에 따라 상기 양극부로부터 출력되는 X선 출력량은 상기 각 트랜지스터의 게이트에 인가되는 펄스 전압에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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12
제 8항에 있어서,
상기 다수의 개별 X 선 소자에 각각 포함된 트랜지스터의 개별 어드레싱 동작에 따라 상기 각 개별 X 선 소자로부터 동일한 X 선량이 출력되는 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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13
제 8항에 있어서,
상기 각 개별 X 선 소자는 X 선관인 것을 특징으로 하는 개별 어드레싱이 가능한 대면적 X 선 시스템
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