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광전도 기판 상에 구불구불한 형태로 형성된 미앤더 라인(meander line)으로 이루어지되,상기 미앤더 라인의 중앙에는 포토믹서가 결합되며, 상기 미앤더 라인의 입력 임피던스값이 상기 포토믹서의 출력 임피던스값에 근접하도록 상기 미앤더 라인의 수평방향 길이, 폭, 라인 간격 및 라인 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 1항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 입력 임피던스의 허수부 값이 0의 값을 갖고 실수부 값이 최대값을 갖는 경우, 상기 미앤더 라인의 입력 임피던스값이 상기 포토믹서의 출력 임피던스값에 근접하는 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 2항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 수평방향 길이가 공진 파장(λ)의 반파장 대역(0
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제 3항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 수평방향 길이는 공진 파장(λ)의 반파장 대역(0
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제 2항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 폭이 상기 포토믹서의 폭 보다 커질수록 상기 미앤더 라인의 입력 임피던스의 실수부 값이 작아지는 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 5항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 폭은 상기 포토믹서의 폭과 동일하거나 작은 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 2항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 라인 간격이 좁아질수록 상기 미앤더 라인의 입력 임피던스의 실수부의 최대값이 커지면서 대역폭이 좁아지고, 동작 주파수에서 입력 임피던스의 허수부 값이 0에 근접하는 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 7항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 라인 간격이 0
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제 2항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 라인 개수가 3에서 11로 증가함에 따라 상기 미앤더 라인의 입력 임피던스의 실수부 값이 증가하다가 11 이상에서는 거의 동일한 입력 임피던스값을 갖는 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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10
제 9항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 라인 개수는 11개 이상인 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 1항에 있어서, 상기 포토믹서가 결합된 중앙 부분에서 멀어짐에 따라 상기 미앤더 라인의 표면 전류 세기가 작아지며, 상기 미앤더 라인의 양 종단은 최소의 표면 전류 세기값을 갖는 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 11항에 있어서, 상기 미앤더 라인에 전압을 인가하기 위한 급전선은 상기 미앤더 라인의 입력 임피던스값에 영향을 미치지 않도록 상기 미앤더 라인의 양 종단에 연결되는 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 1항에 있어서, 상기 미앤더 라인의 방사 패턴은 테라헤르츠 대역 다이폴 안테나의 방사 패턴과 유사한 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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제 1항에 있어서, 상기 광전도 기판은 캐리어 수명이 수십 피코초 이하인 광전도 기판 또는 LTG((Low Temperature Grown)-GaAs 기판인 것을 특징으로 하는 고입력 임피던스를 갖는 테라헤르츠파 대역 폴디드 다이폴 안테나
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