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지지 부재;상기 지지 부재에 고정된 탄소 이온 발생용 타깃; 및상기 탄소 이온 발생용 타깃으로부터 탄소 이온들을 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 상기 탄소 이온 발생용 타깃으로 레이저 빔을 제공하는 레이저를 포함하되,상기 탄소 이온 발생용 타깃은 기판과, 상기 기판 상에 제공된 탄소 박막들을 포함하는 치료 장치
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 박막들은 그래핀 층들을 포함하는 치료 장치
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제 2 항에 있어서,상기 그래핀 층들을 일정간격으로 이격시키는 스페이서들을 더 포함하는 치료 장치
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제 1 항에 있어서,상기 레이저는 고출력 극초단파 레이저를 포함하는 치료 장치
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기판; 및상기 기판 상에 제공된 탄소 박막들을 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 5 항에 있어서,상기 탄소 박막들은 그래핀 층들을 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 6 항에 있어서,상기 그래핀 층들 사이를 일정 간격으로 유지하는 스페이서들을 더 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 7 항에 있어서,상기 스페이서들은 볼 타입을 갖는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 8 항에 있어서,상기 스페이서들은 1 마이크로미터에서 20마이크로미터까지의 직경을 갖는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 7 항에 있어서,상기 스페이서들은 산화 실리콘, 금속, 또는 폴리머 중 적어도 하나의 재질을 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 6 항에 있어서,상기 탄소 박막들은 상기 그래핀 층들의 탄소 원자들이 구형 또는 기둥형으로 연결된 퓰러렌 층, 또는 탄소 나노 튜브 중 적어도 하나를 더 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 5 항에 있어서,상기 기판은 상기 탄소 박막들을 지지하는 그리드를 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 12 항에 있어서,상기 기판은 상기 그리드에 의해 지지되는 상기 탄소 박막들을 아래로 노출하는 윈도우를 더 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 12 항에 있어서,상기 그리드는 금속 또는 실리콘 재질을 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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제 12 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼, 또는 실리콘 시편을 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃
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기판을 제공하는 단계; 및상기 기판 상에 탄소 박막들을 형성하는 단계를 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 탄소 박막들은 트랜스퍼링 방법, 화학 기상 증착 방법, 또는 액상 증착 방법 중 적어도 하나의 방법으로 형성된 그래핀 층들을 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 그래핀 층들의 사이마다 스페이서를 산포하는 단계를 더 포함하는 탄소 이온 발생용 타깃의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 스페이서는 스프레이 방식으로 상기 그래핀 층들의 사이마다 산포되는 탄소 이온 발생용 타깃의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 스페이서는 휘발성 용매에 의해 상기 그래피 층들의 사이마다 산포되는 탄소 이온 발생용 타깃의 제조방법
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