맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광디바이스

  • 기술번호 : KST2015099269
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을 이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.본 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법은 기판상에 제1 포토레지스트를 도포하는 단계와, 도포된 제1 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 제1 포토레지스트를 전면 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 상에 금속 박막을 증착하는 단계와, 금속 박막 상에 제2 포토레지스트를 형성하는 단계와, 도포된 제2 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 열처리된 제2 포토레지스트 상부에 원하는 패턴에 따른 마스크를 형성하는 단계와, 마스크 상부에서 상기 제2 포토레지스트를 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 및 상기 제2 포토레지스트를 현상하는 단계와, 패터닝된 상기 기판 및 제2 포토레지스트 상에 유기 전자 소자에 이용될 유기 물질층을 형성하는 단계와, 유기 물질층 표면에 보호막을 형성하는 단계, 및 리프트-오프 방법으로 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하되, 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 현상하는 단계에서는 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 동시에 현상할 수 있는 현상액을 이용하여 현상하는 것을 특징으로 한다.이에 따라, 다층 구조의 포토레지스트를 사용함으로써 공정 중의 변형을 방지할 수 있고, 유기 전자 소자의 유기 물질층을 보호하는 보호막을 형성한 후에도 리프트 오프 방법을 이용할 수 있어, 유기 전자 소자의 유기 물질층의 특성 변화 없이 미세 패터닝을 수행할 수 있다. 유기 전자 소자의 유기 물질층, 제1 포토레지스트, 제2 포토레지스트, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전계 발광 디바이스
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/0018(2013.01) H01L 51/0018(2013.01) H01L 51/0018(2013.01) H01L 51/0018(2013.01) H01L 51/0018(2013.01)
출원번호/일자 1020060057815 (2006.06.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0843553-0000 (2008.06.27)
공개번호/일자 10-2007-0059877 (2007.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20080704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050118192   |   2005.12.06
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.27)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 추혜용 대한민국 대전 유성구
2 이정익 대한민국 경기 수원시 권선구
3 박상희 대한민국 대전 유성구
4 황치선 대한민국 대전 대덕구
5 양용석 대한민국 대전 유성구
6 도이미 대한민국 대전 유성구
7 정승묵 대한민국 경기 수원시 영통구
8 안성덕 대한민국 대전 유성구
9 강광용 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주)에이피앤 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0455768-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0020620-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0413344-57
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698025-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0698029-94
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0020187-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0102589-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0102569-05
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0337116-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 제1 포토레지스트를 도포하는 단계와,상기 도포된 제1 포토레지스트를 열처리하는 단계와,상기 제1 포토레지스트를 전면 노광하는 단계와,상기 제1 포토레지스트 상에 금속 박막을 증착하는 단계와,상기 금속 박막 상에 제2 포토레지스트를 형성하는 단계와,상기 도포된 제2 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 상기 열처리된 제2 포토레지스트 상부에 원하는 패턴에 따른 마스크를 형성하는 단계와,상기 마스크 상부에서 상기 제2 포토레지스트를 노광하는 단계와,상기 제1 포토레지스트 및 상기 제2 포토레지스트를 현상하는 단계와,상기 패터닝된 상기 기판 및 상기 제2 포토레지스트 상에 유기 전자 소자에 이용될 유기 물질층을 형성하는 단계와,상기 유기 물질층 표면에 보호막을 형성하는 단계, 및 리프트-오프 방법으로 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하되,상기 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 현상하는 단계에서는 상기 제1 포토레지스트 및 상기 제2 포토레지스트를 동시에 현상할 수 있는 현상액을 이용하여 현상하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 현상액은 염기성 용액인 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 현상하는 단계에서는, 상기 제2 포토레지스트에 상기 제1 포토레지스트 패턴측 보다 일측으로 돌출된 오버행을 형성하는 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 오버행의 두께는 상기 제2 포토레지스트 및 상기 금속 박막의 형성 두께 중 적어도 하나를 이용하여 제어가능한 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 오버행의 함몰 폭은 0
7 7
제6항에 있어서,상기 금속박막의 두께, 상기 제1 포토레지스트의 노광 시간 및 현상 시간 중 적어도 하나를 이용하여 상기 오버행의 함몰 폭을 제어하는 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트의 열처리는 상기 제2 포토레지스트의 열처리 온도와 같은 온도 또는 높은 온도에서 수행하는 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제2 포토레지스트의 열처리 온도는 80 ~ 150 ℃ 인 유기 전자 소자의 유기물층 패터닝 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 금속 박막을 증착하는 단계에서 상기 금속 박막의 두께는 1 ~ 10Å인 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 금속 박막을 증착하는 단계에서는 알루미늄을 이용하여 상기 금속 박막을 형성하는 유기 전자 소자의 유기물 패터닝 방법
12 12
제1항, 제3항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항, 제8항, 제9항, 제10항, 및 제11항 중 어느 한 항에 따른 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법을 이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터
13 13
제1항, 제3항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항, 제8항, 제9항, 제10항, 및 제11항 중 어느 한 항에 따른 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법을 이용하여 제작된 유기 전계 발광 디바이스
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.