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자가 발전이 가능한 다중 기능 센서 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015099315
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중 기능 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 다양한 환경 정보를 수집하면서도 전체 소자의 크기가 작으며, 적은 소모 전력을 갖는 다중 기능 센서를 제공한다. 이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 다중 기능 센서는, 기판; 상기 기판 상에 전극과 다중 기능 소재의 적층 구조로 형성되며, 서로 다른 주변 환경 정보를 취득하는 다 수의 감지부; 및 상기 기판 상에 제 1 하부 전극, 상기 다중 기능 소재 및 제 1 상부 전극의 적층 구조로 형성되며, 가해지는 진동에 의하여 전력을 발생시키는 자가 발전부를 포함한다. 상술한 바와 같이 본 발명은, 하나의 기판 상에 다양한 환경 정보를 수집하는 다 수의 감지부를 일괄하여 형성함으로써, 그 크기가 작으며 소모 전력이 적고 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서를 제공할 수 있는 이점이 있다. 다중 기능 센서, 다중 기능 소재, 자가 발전
Int. CL G01D 21/02 (2006.01) G01D 5/00 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01D 21/02(2013.01) G01D 21/02(2013.01) G01D 21/02(2013.01) G01D 21/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080131672 (2008.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1047363-0000 (2011.07.01)
공개번호/일자 10-2010-0073086 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.22)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문승언 대한민국 대전 유성구
2 이홍열 대한민국 충북 청주시 상당구
3 박소정 대한민국 경기 이천시
4 박강호 대한민국 대전 유성구
5 김종대 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0881006-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0008206-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0091818-50
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0283250-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0283261-86
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0361119-65
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 전극과 다중 기능 소재의 적층 구조로 형성되며, 서로 다른 주변 환경 정보를 취득하는 다수의 감지부; 및 상기 기판 상에 제 1 하부 전극, 상기 다중 기능 소재 및 제 1 상부 전극의 적층 구조로 형성되며, 가해지는 진동에 의하여 전력을 발생시키는 자가 발전부 를 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘(Si), 폴리 카보네이트(poly carbonate), 쿼츠(quartz), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP) 및 유리 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 다중 기능 소재는, 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄 복합산화물(PZT(Pb(zr,Ti)03)) 계열, 바륨-스트론튬-티타늄 복합산화물(BST((Ba,Sr)Ti03)) 계열, 나트륨-칼륨-니오븀 복합산화물(NkN((Na,K)Nb03)) 계열, 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT) 및 폴리불화비닐라덴(poly vinyl idene fluoride; PVDF) 중 어느 하나의 물질인 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 감지부는, 온도를 감지하는 온도 감지부, 습도를 감지하는 습도 감지부, 가스를 감지하는 가스 감지부 및 진동을 감지하는 진동 감지부 중 적어도 하나를 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 감지부를 이루는 전극은, 맞물림(interdigitated) 형태를 이루는 제 1 감지 전극 및 제 2 감지 전극을 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 습도 감지부의 가열을 위하여 상기 습도 감지부의 하부에 형성되는 히터 를 더 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 히터는 백금(Pt) 또는 텅스텐(W) 으로 이루어지는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 습도 감지부 및 상기 히터 사이에 형성된 절연막 을 더 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
9 9
제 4 항에 있어서, 상기 기판과 각각의 상기 감지부의 사이 및 상기 기판과 상기 자가 발전부의 사이에 형성된 보호막 을 더 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 보호막은, 실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 질화막(SiNX)의 적층 구조로 이루어진 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 가스 감지부, 상기 진동 감지부 및 상기 자가 발전부의 하부에 형성된 상기 기판의 하면이 식각됨으로써 상기 보호막이 멤브레인(membrane) 구조를 이루는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 p-타입 도핑 영역; 상기 p-타입 도핑 영역 상에 순차적으로 적층된 상기 다중 기능 소재 및 제 2 상부 전극; 및 상기 제 2 상부 전극과 대응되도록 상기 기판의 하부에 형성된 제 2 하부 전극을 포함함으로써 광전류의 흐름을 가능하게 하는 p-n 결합 구조를 형성하는 자외선 감지부 를 더 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 전극, 상기 제 1 상부 전극, 상기 제 2 상부 전극, 상기 제 1 하부 전극 및 상기 제 2 하부 전극은, 은(silver), 금(gold), 플래티늄(platinum), 구리(copper), 알루미늄(aluminum), 로듐(rhodium), 이리듐(iridium), 루테늄(ruthenium), 팔라디움(palladium) 및 도전성 산화물 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서
14 14
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 서로 다른 환경 정보를 취득하는 다 수의 감지부 영역 및 가해지는 진동에 의하여 전력을 발생시키는 자가 발전부 영역을 정의하는 단계; 각각의 상기 감지부 영역 내의 상기 기판 상에 전극을 형성하는 단계; 상기 자가 발전부 영역 내의 상기 기판 상에 제 1 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 전극 및 상기 제 1 하부 전극 상에 다중 기능 소재를 증착하는 단계;및 상기 자가 발전부 영역 내의 상기 다중 기능 소재 상에 제 1 상부 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 다중 기능 소재를 증착하는 단계는, 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄 복합산화물(PZT(Pb(zr,Ti)03)) 계열, 바륨-스트론튬-티타늄 복합산화물(BST((Ba,Sr)Ti03)) 계열, 나트륨-칼륨-니오븀 복합산화물(NkN((Na,K)Nb03)) 계열, 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT) 및 폴리불화비닐라덴(poly vinyl idene fluoride; PVDF) 중 어느 하나의 상기 다중 기능 소재를 증착하는 단계인 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서의 제조 방법
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 감지부 영역을 정의하는 단계는, 온도를 감지하는 온도 감지부, 습도를 감지하는 습도 감지부, 가스를 감지하는 가스 감지부 및 진동을 감지하는 진동 감지부 중 적어도 하나의 감지부 영역을 정의하는 단계를 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 감지부 영역 내의 전극을 형성하는 단계는, 맞물림(interdigitated) 형태를 이루는 제 1 감지 전극 및 제 2 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서의 제조 방법
18 18
제 16항에 있어서, 상기 전극 및 상기 제 1 하부 전극의 형성 전에 상기 기판 상에 보호막을 형성하는 단계 를 더 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서의 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 감지부 영역을 정의하는 단계는 자외선 감지부 영역을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 자외선 감지부 영역 내의 상기 보호막을 식각하고 도핑함으로써 p-타입 도핑 영역을 형성하는 단계; 상기 p-타입 도핑 영역 상에 다중 기능 소재 및 제 2 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 제 2 상부 전극과 대응되도록 상기 기판의 하부에 제 2 하부 전극을 형성함으로써 광전류의 흐름을 가능하게 하는 p-n 결합구조를 형성하는 단계 를 더 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서의 제조 방법
20 20
제 18 항에 있어서, 상기 가스 감지부, 상기 진동 감지부 및 상기 자가 발전부 영역의 상기 기판의 하부를 식각하여 상기 보호막이 노출되도록 함으로써 멤브레인 구조를 형성하는 단계 를 더 포함하는 자가 발전이 가능한 다중 기능 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈