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링 도파로 및 상기 링 도파로를 피복하는 유전체층을 포함하는 링 공진기를 준비하는 것; 그리고상기 링 공진기를 가열하여 상기 유전체층의 굴절률 상변화(refractive index phase change)를 유도하는 것을 포함하고,상기 굴절률 상변화의 온도는 상기 유전체층의 증착 온도에 의하여 결정되는 링 공진기의 공진파장 가변 방법
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청구항 1에 있어서,상기 링 도파로는 실리콘을 포함하며,상기 유전체층은 적어도 상기 링 도파로의 상부면 및 하부면을 덮는 클래딩 유전체층, 및 상기 링 도파로의 상부면을 덮으며 상기 클래딩 유전체층과 상기 링 도파로 사이에 개재되는 제 1 보조 유전체층을 포함하는 링 공진기의 공진파장 가변 방법
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청구항 3에 있어서,상기 클래딩 유전체층은 실리콘 산화막을 포함하며, 상기 제 1 보조 유전체층은 실리콘 산화질화막(Silicon Oxynitride, SiOxNy)를 포함하는 링 공진기의 공진파장 가변 방법
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청구항 3에 있어서,상기 제 1 보조 유전체층은 상기 링 도파로의 상부면 및 측면을 덮는 링 공진기의 공진파장 가변 방법
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청구항 3에 있어서,상기 유전체층은 상기 링 도파로의 상부면을 덮으며, 상기 제 1 보조 유전체층과 상기 링 도파로 사이에 개재되는 제 2 보조 유전체층을 더 포함하되,상기 제 2 보조 유전체층은 실리콘 질화막을 포함하는 링 공진기의 공진파장 가변 방법
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청구항 1에 있어서,상기 링 도파로는 복수 개의 링 도파로를 포함하며,상기 복수 개의 링 도파로 중 어느 하나는 가열되어 공진 파장이 변하며, 상기 복수 개의 링 도파로 중 다른 하나는 온도 및 공진 파장이 일정하게 유지되는 링 공진기의 공진파장 가변 방법
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청구항 1에 있어서,상기 링 도파로는 TM모드의 빛이 진행하도록 허용하는 링 공진기의 공진파장 가변 방법
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