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기판;상기 기판 상에 상호 대향하며 소정의 간격만큼 이격되어 형성된 갭에 의해 분리된 금속-절연체 전이 물질층; 및상기 분리된 전이 물질층의 각각에 연결되어 상기 전이 물질층의 갭으로 전자를 방출시키기 위한 전극들을 포함하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유기물층, 무기물층 또는 이들의 복합층으로 이루어진 적어도 하나의 층 또는 상기 층들이 패터닝된 구조체 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자
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제1항에 있어서, 상기 갭의 폭이 커지면, 상기 갭으로 전자를 방출하기 위한 전압의 크기도 증가하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자,
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제1항에 있어서, 상기 갭의 폭은 5~200nm인 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자,
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제1항에 있어서, 상기 갭은 상기 전이 물질층이 균일하게 이격되어 그루브(groove) 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자
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제1항에 있어서, 상기 갭은 상기 전이 물질층이 뾰족한 단부를 갖도록 상기 단부가 이격되어 대향되도록 배치된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자
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제1항에 있어서, 상기 전이 물질층은 상기 갭에 의하여 완전히 분리된 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자
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제1항에 있어서, 상기 전이 물질층은 상기 갭을 포함하면서 연결된 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자
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제1항에 있어서, 상기 전이 물질층은 산소, 탄소, 반도체 원소(III-V족, II-VI족), 전이금속원소, 희토류원소, 란탄계 원소들을 포함하는 저 농도의 정공이 첨가된 무기물 화합물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 유기물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 반도체, 및 저 농도의 정공이 첨가된 산화물 반도체 및 절연체 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자
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제1항에 있어서, 상기 전극들은 Li, Be, C, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Ti, Pb, Bi, Po, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th, U, Np, Pu의 금속, 상기 금속들의 화합물 또는 상기 금속들의 화합물을 포함하는 산화물 중 도전성 산화물로 형성된 적어도 1층인 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 이용한 전자방출소자
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기판;상기 기판 상에 상호 대향하며 소정의 간격만큼 이격되어 형성된 갭에 의해 분리된 금속-절연체 전이 물질층; 및상기 분리된 전이 물질층의 각각에 연결되어 상기 전이 물질층의 갭으로 전자를 방출시키기 위한 전극들; 및상기 전자를 시각적으로 인식할 수 있는 상태로 변환시키는 형광체를 포함하는 표시판을 포함하는 디스플레이
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제11항에 있어서, 상기 갭은 상기 전이 물질층이 균일하게 이격되어 그루브(groove) 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이
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제11항에 있어서, 상기 갭은 상기 전이 물질층이 뾰족한 단부를 갖도록 상기 단부가 이격되어 대향되도록 배치된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이
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제11항에 있어서, 상기 전이 물질층은 상기 갭에 의하여 완전히 분리된 것을 특징으로 하는 디스플레이
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제11항에 있어서, 상기 전이 물질층은 상기 갭을 포함하면서 연결된 것을 특징으로 하는 디스플레이
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제14항에 있어서, 상기 갭 사이의 거리는 5~200nm인 것을 특징으로 하는 디스플레이,
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제14항에 있어서, 상기 전이 물질층 및 상기 표시판 사이에는 상기 전자가 흐르는 방향을 상기 표시판으로 향하게 하는 투명전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이
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