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실리콘 기판 상에 차례로 적층된 제1 금속층 및 제2 금속층을 포함하는 다이를 준비하는 것; 리드 프레임을 포함하는 패키지 기판을 준비하는 것; 그리고상기 리드 프레임 및 상기 제1 금속층 사이에 접착층을 형성하여, 상기 다이를 상기 패키지 기판 상에 부착시키는 것을 포함하되, 상기 접착층을 형성하는 것은 상기 실리콘 기판 및 상기 제2 금속층의 유테틱 본딩에 의하여 수행되는 반도체 패키지 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 접착층은 실리콘 및 상기 제2 금속층과 동일한 물질을 포함하는 반도체 패키지 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 접착층은 상기 제1 금속층과 동일한 물질을 더 포함하는 반도체 패키지 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 것은: 상기 다이를 상기 패키지 기판 상에 페이스 다운시켜 상기 제2 금속층을 상기 리드 프레임과 접촉시키는 것; 및 상기 다이 및 상기 패키지 기판을 열처리 하는 것을 포함하는 반도체 패키지 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 열처리는 370 내지 450℃의 온도조건에서 수행되는 반도체 패키지 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 다이를 준비하는 것은: 상기 티타늄 또는 크롬을 상기 기판 상에 증착하여 제1 금속층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속층 상에 금을 증착하여 상기 제2 금속층을 형성하는 것;을 포함하는 반도체 패키지 제조방법
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제 1항에 있어서상기 제1 금속층은 대략 25 내지 300A의 두께를 가지는 반도체 패키지 제조방법
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제 1항에 있어서상기 제2 금속층은 대략 3,000 내지 10,000A의 두께를 가지는 반도체 패키지 제조방법
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