맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015099417
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 쌍극자 트랜지스터의 익스트린직 베이스영역 형성시 고농도의 얇은 베이스 박막을 만들기 위해 불순물이 첨가되는 단결정 박막 성장법을 이용하고 있다. 단결정 박막 성장법을 이용하는 종래 쌍극자 트랜지스터 제조 방법에서는 필드 산화막을 형성하여 액티브영역과 필드영역을 정의한 후에 웨이퍼 전면에 단결정 박막을 성장시키게 되는데, 이때 실리콘 기판이 노출된 액티브영역상에는 단결정 박막이 성장되고, 필드 산화막상에는 다결정 박막이 성장된다. 그러나, 박막은 노출된 실리콘 기판에만 선택적으로 성장되는 특성이 있기 때문에 웨이퍼 전면에 균일한 두께의 박막을 얻기 어려울 뿐만 아니라 필드 산화막상에 박막 성장이 어려워 양질의 베이스 박막을 얻을수 없다. 따라서, 본 발명은 익스트린직 베이스영역이 형성될 실리콘 기판에는 필드 산화막이 형성되지 않도록하고, 익스트린직 베이스영역이 형성될 실리콘 기판내에 산소주입으로 산화막을 형성시켜 산화막 윗부분이 실리콘 기판의 일부가 되게하여 베이스 형성용 단결정 박막이 액티브영역과 익스트린직 베이스영역에 모두 성장되도록 하므로써, 양질의 베이스 박막을 얻을 수 있고, 익스트린직 베이스영역이 산화막 상에 형성되기 때문에 접합 용량을 작게할 수 있으며, 익스트린직 베이스영역에 이온 주입된 불순물이 컬렉터 박막쪽으로 과대하게 확산되는 것을 막을 수 있다.
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/735(2013.01) H01L 29/735(2013.01)
출원번호/일자 1019970048279 (1997.09.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0296707-0000 (2001.05.14)
공개번호/일자 10-1999-0026227 (1999.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.23)
심사청구항수 21

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조덕호 대한민국 대전광역시 유성구
2 이수민 대한민국 대전광역시 유성구
3 한태현 대한민국 대전광역시 유성구
4 염병렬 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0153194-67
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0153195-13
3 특허출원서
Patent Application		 1997.09.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0153193-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0165509-35
5 의견서
Written Opinion		 2000.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5266727-65
6 등록사정서
Decision to grant		 2001.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0059192-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제 1 전도형 실리콘 기판 상에 국부적으로 형성된 제 2 전도형 매몰층;

상기 메몰층을 포함한 상기 실리콘 기판상에 형성된 컬렉터 박막;

상기 컬렉터 박막 상에 국부적으로 형성되어 액티브 영역과 상기 매몰층에 연결된 제 2 전도형 컬렉터 싱커를 구분시키는 필드 산화막;

상기 액티브 영역의 상기 컬렉터 박막상에 형성된 제 1 전도형 베이스 박막;

상기 액티브 영역의 상기 컬렉터 박막 내에 상기 필드 산화막과 연결되도록 국부적으로 형성된 매립 산화막;

상기 매립 산화막상의 상기 컬렉터 박막 및 상기 베이스 박막에 제 1 전도형 불순물 주입으로 형성된 익스트린직 베이스 영역과, 상기 익스트린직 베이스 영역을 제외한 상기 베이스 박막으로 된 인트린직 베이스 영역;

상기 인트린직 베이스 영역상에 형성되며, 둘레에 절연막 스페이서가 형성된 제 2 전도형 에미터 박막과, 상기 에미터 박막 하부의 상기 인트린직 베이스 영역내에 형성된 제 2 전도형 에미터 영역; 및

상기 인트린직 베이스 영역하부의 상기 컬렉터 박막에 형성된 제 2 전도형 컬렉터 영역으로 구성된 것을 특징으로 하는 쌍극자 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.