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기판 상에 애노드 전극을 형성하는 것;상기 애노드 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 것;상기 유기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 것; 및상기 캐소드 전극 상에 광산란 필름을 형성하는 것을 포함하되,상기 광산란 필름은 이방성 결정으로 이루어진 다결정 유전체 물질이며, 상기 유전체 물질의 입자의 이방성 결정 성장에 의해서 상기 광산란 필름의 상면은 Ra가 50nm 이상인 표면 거칠기를 갖는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광산란 필름은 상기 기판의 온도를 100°C 이하로 유지시키는 열증착법(thermal evaporation), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 또는 대향 타겟 스퍼터링법을 사용하여 형성되는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유전체 물질은 BaCl2, BaBr2, BaS, CsCl, CsBr, CaBr2, PbO, LiCl, LiBr, SeCl4, MgBr2, AgCl, AgBr, TeO2, SnF4, SnCl4, SnBr4, ZnCl2, TiO2, WO3, ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2, In2O3, ZrO2, AgCl, ZnS 또는 TeO2을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,열증착법을 사용하여 BaCl2, BaBr2, BaS, CsCl, CsBr, CaBr2, PbO, LiCl, LiBr, SeCl4, MgBr2, AgCl, AgBr, TeO2, SnF4, SnCl4, SnBr4 또는 ZnCl2을 포함하는 상기 광산란 필름을 형성하는 것을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,화학 기상 증착법을 사용하여 TiO2, WO3, ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2, In2O3 또는 ZrO2을 포함하는 상기 광산란 필름을 형성하는 것을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,대향 타겟 스퍼터링법을 사용하여 TiO2, WO3, ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2, In2O3, ZrO2, AgCl, ZnS 또는 TeO2을 포함하는 상기 광산란 필름을 형성하는 것을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광산란 필름은 200nm 내지 2000nm의 두께를 갖는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광산란 필름을 형성하기 전에, 상기 캐소드 전극 상에 보호막을 형성하는 것을 더 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 보호막은 유기물, 금속 산화물 및 금속 질화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광산란 필름 내에 금속 나노 입자들을 형성하는 것을 더 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 동시 증착법(co-deposition), 상기 광산란 필름에 열처리 또는 자외선 조사, 또는 상기 광산란 필름을 형성하는 동안 가스 분위기를 환원 분위기로 조성하여 형성되는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 Ba, Cs, Ca, Pb, Li, Se, Mg, Ag, Te, Sn, Zn, Ti, W, In, Zr, 또는 Te을 포함하는 유기발광의 제조 방법
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기판 상에 애노드 전극;상기 애노드 전극 상에 배치된 유기 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 캐소드 전극; 및상기 캐소드 전극 상에 광산란 필름을 포함하되,상기 광산란 필름은 이방성 결정으로 이루어진 다결정 유전체 물질이며, 상기 유전체 물질의 입자의 이방성 결정 성장에 의해서 상기 광산란 필름의 상면은 Ra가 50nm 이상인 표면 거칠기를 갖는 유기발광 다이오드
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제 13 항에 있어서,상기 유전체 물질은 BaCl2, BaBr2, BaS, CsCl, CsBr, CaBr2, PbO, LiCl, LiBr, SeCl4, MgBr2, AgCl, AgBr, TeO2, SnF4, SnCl4, SnBr4, ZnCl2, TiO2, WO3, ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2, In2O3, ZrO2, AgCl, ZnS 또는 TeO2을 포함하는 유기발광 다이오드
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제 13 항에 있어서,상기 유기 발광층은 상기 애노드 전극 상에 차례로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층을 포함하되,상기 발광층의 상면과 상기 캐소드 전극의 상면 사이의 간격은 30nm 내지 160nm인 유기발광 다이오드
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제 13 항에 있어서,상기 광산란 필름 내에 금속 나노 입자들을 더 포함하는 유기발광 다이오드
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제 16 항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은 Ba, Cs, Ca, Pb, Li, Se, Mg, Ag, Te, Sn, Zn, Ti, W, In, Zr 또는 Te을 포함하는 유기발광 다이오드
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제 13 항에 있어서,상기 캐소드 전극과 상기 광산란 필름 사이에 보호막이 더 개재된 유기발광 다이오드
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제 13 항에 있어서,상기 광산란 필름은 200nm 내지 2000nm의 두께를 갖는 유기발광 다이오드
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제 13 항에 있어서,상기 광산란 필름은 1
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