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반도체소자의저항제조방법

  • 기술번호 : KST2015099427
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 저항 제조방법에 관한 것으로서, 저항체가 되는 다결정 실리콘층에 먼저 양의 온도계수를 갖는 공정을 하여 결정립을 성장시킨 후 이어서 양의 저항온도계수를 상쇄시키기 위해 음의 온도계수를 갖는 공정을 진행한 후, 패턴닝하여 저항체를 형성하고, 콘택 및 저항을 형성하여 저항체를 구성하였으므로, 특정 저항값에서 온도 변화에 따른 저항값 변화가 방지되고, 저항체내의 불순물 농도가 일정하여 저항온도계수가 작아지므로 고온과 저온 모두에서 동작되는 반도체 소자의 동작 신뢰성이 향상된다. 그리고 본 다결정실리콘 저항체의 제조공정은 다결정실리콘층의 결정립 성장을 위해 낮은 공정온도에서 불순물의 열확산이 가능하므로 서브바이크론급 이하의 반도체 소자 제조공정에도 응용될 수 있다.
Int. CL H01L 27/085 (2006.01)
CPC H01L 27/0802(2013.01) H01L 27/0802(2013.01) H01L 27/0802(2013.01)
출원번호/일자 1019950040295 (1995.11.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0194596-0000 (1999.02.10)
공개번호/일자 10-1997-0030791 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대우 대한민국 대전광역시유성구
2 노태문 대한민국 대전광역시유성구
3 김광수 대한민국 대전광역시서구
4 김보우 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160150-54
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160149-18
3 특허출원서
Patent Application		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160148-62
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160151-00
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160152-45
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.06 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160153-91
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0084797-05
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.09.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160154-36
9 의견서
Written Opinion		 1998.09.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160155-82
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0476463-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상에 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층에 양의 저항온도계수(TCR)를 갖는 불순물을 도핑한 후, 이어서 음의 저항온도계수를 갖는 불순물을 도핑하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층을 패턴닝하여 소정 저항값을 갖는 저항체를 형성하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층에서 콘택으로 예정되어 있는 부분을 노출시키는 콘택 홀을 포함하는 층간절연막을 상기 구조의 전표면에 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통해 다결정 실리콘층 패턴과 접촉되는 전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 소자의 저항 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 양의 저항온도 계수를 갖도록 반도체 기판을 전기로에 탑재하고 POCl3 가스 분위기에서 열처리하여 P를 확산시키는 반도체 소자의 저항 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 음의 저항온도계수를 갖도록 반도체 기판에 As 불순물 이온을 주입한 후 활성화시키는 반도체 소자의 저항 제조방법

4 4

제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층의 다양한 두께에 따라 먼저 상기 인(P)의 분순물 열확산 공정온도 및 시간을 조절하여 불순물 확산과 동시에 결정립을 성장시킨 후, 상기 비소(As)의 불순물을 이온주입한 다음 열처리로 활성화시키는 것을 특징으로 반도체 소자의 저항 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.