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갈륨비소화합물반도체소자의오음익전극형성방법

  • 기술번호 : KST2015099447
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET), 고전자 이동도(High Electron Mobility)트랜지스터, 이종결합 바이폴라 트랜지스터(Heterostructure Bipolar Transistor)등과 같은 갈륨비소 화합물 반도체 소자의 소오스 전극 및 드레인 전극의 형성을 위한 금속층의 표면 모폴로지(surface morphology)를 개선시킬수 있는 방법에 관한 것으로, 종래의 기술에 따른 소자제작시 공기방울(ball-up)이 채널층의 가장자리에 형성되는 경우 갈륨비소 채널층과 공기방울의 높이 사이에 생기는 단차에 의해, 다음에 수행되는 게이트 전극의 형성을 위한 리소라피 공정에 있어서, 공전조건이 바뀌거나 미세게이트 패턴을 형성하는 것이 어렵고, 열처리시 공기방울에 의해 소오스(또는, 드레인)와 게이트 사이의 간격이 좁아져 쇼트되는 현상이 발생하여 소자의 수율감소와 초래되는 문제를 해결하기 위한 것으로, 소오스 전극 및 드레인 전극의 형성을 위한 감광막의 패턴을 형성하고, 사용하여 AuGe와 Ni를 20∼300nm정도 두께와 5∼100nm정도의 두께로 각각 증착하여 2층의 AuGe층(4)/Ni층(5)을 형성하는 것이 특징이다.
Int. CL H01L 29/80 (2006.01)
CPC H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01)
출원번호/일자 1019940007848 (1994.04.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1995-0030395 (1995.11.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.04.14)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 대전직할시유성구
2 김해천 대한민국 대전직할시유성구
3 문재경 대한민국 대전직할시유성구
4 권오승 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0036359-23
2 특허출원서
Patent Application		 1994.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0036357-32
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0036358-88
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0036360-70
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0036361-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0020515-24
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0020516-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

갈륨비소 화합물 반도체 소자의 오음익 전극을 형성하는 방법에 있어서, 소오스 전극 및 드레인 전극의 형성을 위한 감광막의 패턴을 형성하고, AuGe와 Ni를 20∼30nm정도 두께와 5∼10nm정도의 두께로 각각 증착하여 2층의 AuGe층(4)/Ni층(5)을 형성하는 공정과, 리프트 오프에 의해 상기 감광막 패턴(3)을 제거하여 소오스 전극과 드레인 전극을 형성한 후, 약 390℃정도의 온도에서 약20초 동안 열처리를 수행하여 상기 2층의 금속층과 기판 사이에 오음익 접촉을 이루는 오음익 층을 형성하는 공정과, 게이트 전극의 형성을 위한 감광막 패턴을 다시 형성하고 게이트 금속층을 증착한 후, 리프트 오프에 의해 게이트 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 화합물 반도체 소자의 오음익 전극 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 공정에서 상기 게이트 금속층은 Ti/Pt/Au층, Al/Au층, Ti/W층, Al층, 또는 WN층 어느 하나의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 화합물 반도체 소자의 오음익 전극 형성 방법

3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.