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레이저 빔을 생성하는 레이저 빔 발생부;상기 레이저 빔에 의해 중성자 빔을 생성하는 타깃;상기 레이저 빔을 상기 타깃의 전면에 집속시키는 레이저 광학계; 및 상기 타깃의 후면에 배치되고, 상기 타깃의 후면에 양이온 플라즈마를 조사하여 수행되는 플라즈마 표면 처리에 의하여 상기 타깃 내부에 있는 불순 물질을 제거하는 플라즈마 처리부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생장치
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제 1항에 있어서,상기 불순 물질은 양성자 물질인 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생장치
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제 1항에 있어서, 상기 타깃은 진공 챔버 내에 위치하며 상기 플라즈마 표면 처리는 상기 진공 챔버 내에서 이루어지며,상기 레이저 광학계는 상기 진공 챔버와 밸브에 의하여 연결되거나 격리되는 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생장치
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제 1항에 있어서,상기 플라즈마 처리부는,플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부와 생성된 플라즈마 중 양이온을 가속하여 양이온 플라즈마 빔을 상기 타깃에 전달하는 플라즈마 전달부를 포함하는 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생장치
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제 4항에 있어서,상기 플라즈마 전달부는 하나 이상의 제어 전극과 전원장치를 포함하며, 상기 제어 전극은 음의 전압으로 충전된 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생장치
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제 4항에 있어서,상기 제어 전극은 망사(grid)로 형성된 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생장치
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제 5항에 있어서,상기 제어 전극은 타깃 후면과의 거리를 조정할 수 있도록 형성된 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생장치
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제3항에 있어서,상기 진공 챔버의 외부 일측에 개폐 밸브에 의하여 연결되는 중이온 빔 출력부를 더 포함하며상기 중이온 빔 출력부는 상기 레이저 빔과 일직선상에서 상기 타깃의 후면 측에 설치되는 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생장치
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타깃이 내부에 위치되는 진공 챔버, 상기 진공 챔버의 외곽에 배치되며, 레이저 빔을 상기 타깃의 전면에 집속시키는 레이저 광학계, 상기 타깃의 후면에 배치되어 상기 타깃의 플라즈마 표면 처리를 수행하는 플라즈마 처리부, 상기 타깃에서 발생되는 중이온 빔을 출력하는 중이온 빔 출력부를 포함하는 중이온 발생 장치에 의하여 상기 타깃 내부에 있는 양성자 물질의 불순 물질을 제거하는 중이온 빔 발생방법에 있어서,상기 타깃의 후면을 상기 플라즈마 처리부의 플라즈마 생성부를 향하는 위치로 배치하는 단계;상기 레이저 광학계와 상기 중이온 빔 출력부를 플라즈마 처리가 이루어지는 상기 진공 챔버의 영역과 격리시키는 격리 단계;상기 플라즈마 생성부에서 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 단계; 및상기 타깃의 후면에 일정 간격으로 배치된 제어 전극에 음의 전압을 인가하여 상기 생성된 플라즈마에서 양이온 플라즈마 빔을 상기 타깃의 후면에 조사하는 양이온 조사 단계; 를 포함하는 중이온을 발생하는 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생방법
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제 9항에 있어서,상기 양이온 조사 단계 이후에,상기 플라즈마 생성부를 격리시키고 상기 진공 챔버 내의 잔여 물 분자 또는 불순물을 제거시키는 단계;상기 격리된 레이저 광학계와 상기 중이온 빔 출력부를 상기 진공 챔버에 연결시키고 상기 진공 챔버와 같이 일정 진공도를 유지하도록 진공시키는 진공 단계;상기 진공 단계 이후에 상기 타깃의 후면을 상기 중이온 빔 출력부로 향하도록 배치시키는 단계;레이저 빔을 발생시켜서 상기 레이저 광학계에 의하여 도파된 레이저 빔을 상기 타깃에 집속하는 단계; 및상기 레이저 빔에 의하여 상기 타깃의 후면에서 발생되는 중이온 빔을 상기 중이온 빔 출력부로 출력하는 출력 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생방법
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제10항에 있어서상기 출력 단계에는 상기 출력되는 중이온 빔의 에너지, 양, 분포 중 적어도 하나 이상을 측정하는 검출단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중이온 빔 발생방법
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