반절연성 화합물 반도체 기판 위에 완충층(1), 부컬렉터층(2), 컬렉터층(3), 베이스층(4), 에미터층(5) 및 에미터 캡층(6)을 순차로 성장시킨 웨이퍼 위에 이종접합 구조의 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 제작하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼 전면에 임시 에미터로 활용하기 위한 실리콘 질화막(7)을 증착한 후 그 실리콘 질화막(7)을 건식식각 방법에 의해 수직한 형상을 갖도록 식각하여 임시 에미터 전극(8)을 형성하는 제1공정과; 노출된 상기 에미터 캡층(6) 및 상기 에미터층(5) 일부를 식각하는 제2공정과; 상기 식각이 끝난 전면에 폴리이미드를 도포하고 그 폴리이미드를 산소 플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각방법에 의해 방향성 식각을 하여 상기 식각되어 남은 에미터층(5) 및 임시 에미터 전극(8)의 측면에 폴리이미드 측벽막(10)을 형성하고, 잔류 에미터층(5)을 제거하여 베이스 표면을 노출시키는 제3공정과, 상기 임시 에미터 전극(8)을 식각해서 선택적으로 제거하고 에미터 전극(11)과 베이스 전극(12)을 동시에 증착하여서 폴리이미드 측벽막에 의한 단차를 이용하여 베이스 전극의 에미터에 대한 자기정렬이 가능하도록 하는 제4공정과; 및 에미터, 베이스 및 컬렉터 전극과 소자분리 메사의 형성이 완료된 후 상기 형성된 폴리이미드 측벽막(10)을 선택적으로 폴리이미드 제거제를 사용하여 제거하여서, 이후의 패드 전극형성시 금속배선의 단락이 생기지 않도록 하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제작방법