실리콘 기판위에 다이아몬드 박막을 증착시키는 방법에 있어서, 다공질 실리콘위에 다이아몬드를 증착시킬때 다공질 실리콘 표면의 미세한 돌출부의 존재로 다이아몬드 결정의 핵생성 밀도가 높아지는 원리를 이용하되, 불순물이 도우핑된 상기 실리콘 기판(1)을 HF 용액속에 넣고, 백금전극을 음극으로, 상기 실리콘 기판(1)을 양극으로 하여 10-100mA/cm2의 전류를 흘려, 상기 실리콘 기판(1)의 표면을 습식식각하여 상기 실리콘 기판(1)에 다공질 실리콘층(2)을 형성시키는 공정과, 상기 다공질 실리콘층(2)위에 다이아몬드 박막을 증착시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판위에 다이아몬드 박막의 증착방법

제1항에 있어서, 상기 HF 용액은 20-50%의 고순도 용액인 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘 기판을 이용한 다이아몬드 박막의 증착방법

제1항에 있어서, 상기 다공질 실리콘층(2)위에 다이아몬드 결정핵(3)을 핵생성 시키는 공정은 열 필라멘트(Hot filament)장치를 사용하여, 기판온도를 600°-900℃로 가열하며, 메탄가스를 수소와 함께 흘려주어 다이아몬드 박막(4)을 증착시키는 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘 기판을 이용한 다이아몬드 박막의 증착방법

제1항에 있어서, 상기 다공질 실리콘층(2)위에 다이아몬드 결정핵(3)을 핵생성 시키는 공정은 고주파 플라즈마 장치를 사용하여 기판온도 : 550°-900℃, 메탄농도 : 0