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기판 상에 적층된 촉매층, 유전체층 및 게이트 전극층과, 상기 기판의 소정 부분이 노출되도록 상기 촉매층, 유전체층 및 게이트 전극층에 형성된 게이트 홀과, 상기 게이트 홀을 통해 노출되는 상기 촉매층의 측벽에 형성된 에미터와, 상기 에미터와의 단락을 방지하기 위해 상기 게이트 전극층의 노출된 표면에 형성된 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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제 1 항에 있어서, 상기 촉매층과 상기 유전체층 사이에 형성되며 상기 게이트 홀을 통해 측벽이 노출되는 캐소드 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극층이 상기 에미터보다 상기 기판에 더 가까이 형성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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기판 상에 적층된 유전체층 및 촉매층과, 상기 기판의 소정 부분이 노출되도록 상기 유전체층 및 상기 촉매층에 형성된 게이트 홀과, 상기 게이트 홀을 통해 노출되는 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극층과, 상기 게이트 홀을 통해 노출되는 상기 촉매층의 측벽에 형성된 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 5 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에미터는 카본을 주성분으로 하는 카본나노튜브, 카본나노입자 및 결함을 가진 다이아몬드 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 5 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 촉매층은 Fe, Co, Ni의 전이 금속들 중 어느 하나 혹은 상기 전이 금속들의 합금 혹은 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 촉매층은 캐소드 전극으로 이용되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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제 6 항에 있어서, 상기 촉매층 상에 형성된 캐소드 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자용 캐소드
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