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단일 강유전체 트랜지스터를 구비한 강유전체 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015099661
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단위 메모리 셀을 '제1 상태' 또는 '제2 상태'로 프로그램할 때 1개의 단위 메모리 셀을 독립적으로 선택하여 프로그램할 수 있고, 단위 메모리 셀에 대한 프로그램 동작 시 라이트 디스터브 현상을 방지한, 단일 강유전체 트랜지스터를 구비한 강유전체 메모리 장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 행 방향으로 다수의 워드라인과 열 방향으로 다수의 비트라인 및 소오스라인이 서로 교차되어 매트릭스 형태로 배열되는 다수의 단위 메모리 셀을 구비한 강유전체 메모리 장치에 있어서, 상기 단위 메모리 셀 각각은, 상기 소오스라인 및 상기 비트라인 사이에 연결되며, 게이트가 상기 워드라인에 연결되는 단일 강유전체 트랜지스터를 구비하고, 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 웰은 열방향으로 하나의 공통웰라인에 연결되되, 인접한 다른 열의 공통웰라인과 서로 전기적으로 격리되어 연결되며, 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 소오스 또는 드레인은 열방향으로 하나의 상기 비트라인 또는 상기 소오스라인에 공통 연결되도록 구성한다. 강유전체 메모리 장치, 단일 강유전체 트랜지스터, 라이트 디스터브, 프로그램, 열공통 웰라인, 비트라인, 소오스라인, 워드라인
Int. CL G11C 11/22 (2006.01)
CPC G11C 11/2275(2013.01) G11C 11/2275(2013.01) G11C 11/2275(2013.01)
출원번호/일자 1019990058026 (1999.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0319757-0000 (2001.12.21)
공개번호/일자 10-2001-0056537 (2001.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20020105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양일석 대한민국 대전광역시유성구
2 유병곤 대한민국 대전광역시유성구
3 유인규 대한민국 대전광역시유성구
4 이원재 대한민국 대전광역시유성구
5 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨 미국 워싱턴 ***** 커클랜드 캐럴란 포인트 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-0171956-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0316652-99
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

행 방향으로 다수의 워드라인과 열 방향으로 다수의 비트라인 및 소오스라인이 서로 교차되어 매트릭스 형태로 배열되는 다수의 단위 메모리 셀을 구비한 강유전체 메모리 장치에 있어서,

상기 단위 메모리 셀 각각은, 상기 소오스라인 및 상기 비트라인 사이에 연결되며, 게이트가 상기 워드라인에 연결되는 단일 강유전체 트랜지스터를 구비하고,

상기 단일 강유전체 트랜지스터의 웰은 열방향으로 하나의 공통웰라인에 연결되되, 인접한 다른 열의 공통웰라인과 서로 전기적으로 격리되어 연결되며,

상기 단일 강유전체 트랜지스터의 소오스 또는 드레인은 열방향으로 하나의 상기 비트라인 또는 상기 소오스라인에 공통 연결되도록 구성함을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 다수의 단위 메모리 셀 중 임의의 한 단위 메모리 셀을 임의의 '제1 상태'로 프로그램하기 위하여,

선택된 상기 단위 메모리 셀에 구비된 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 게이트에 연결되는 해당 워드라인으로 제1 레벨의 전압을 인가하고, 해당 공통웰라인으로 제2 레벨의 전압을 인가하여 상기 선택된 단위 메모리 셀을 상기 '제1 상태'로 프로그램하고,

비선택된 상기 단위 메모리 셀들 중 상기 선택된 단위 메모리 셀의 워드라인에 공통 연결되는 단위 메모리 셀에 구비된 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 공통웰라인으로 상기 제1 레벨의 전압을 인가하여 초기 분극 상태를 유지하고,

상기 비선택된 상기 단위 메모리 셀들 중 나머지 비선택된 단위 메모리 셀에 구비된 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 공통웰라인으로 상기 제1 레벨의 전압을 인가하고, 게이트에 연결되는 해당 워드라인으로 상기 제2 레벨의 전압을 인가하여 초기 분극 상태를 유지하도록 하는 강유전체 메모리 장치

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 다수의 단위 메모리 셀 중 임의의 한 단위 메모리 셀을 임의의 '제2 상태'로 프로그램하기 위하여,

선택된 상기 단위 메모리 셀에 구비된 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 게이트에 연결되는 해당 워드라인으로 상기 제2 레벨의 전압을 인가하고, 해당 공통웰라인으로 상기 제1 레벨의 전압을 인가하여 상기 선택된 단위 메모리 셀을 상기 '제2 상태'로 프로그램하고,

비선택된 상기 단위 메모리 셀들 중 상기 선택된 단위 메모리 셀의 워드라인에 공통 연결되는 단위 메모리 셀에 구비된 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 공통웰라인으로 상기 제2 레벨의 전압을 인가하여 초기 분극 상태를 유지하고,

상기 비선택된 상기 단위 메모리 셀들 중 나머지 비선택된 단위 메모리 셀에 구비된 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 게이트에 연결되는 해당 워드라인으로 상기 제1 레벨의 전압을 인가하고, 해당 공통웰라인으로 상기 제2 레벨의 전압을 인가하여 초기 분극 상태를 유지하도록 하는 강유전체 메모리 장치

4 4

제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 제1 레벨의 전압은,

상기 강유전체 메모리 장치에 인가되는 공급전압이고,

상기 제2 레벨의 전압은,

접지전압인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치

5 5

제 1 항에 있어서, 동일한 열에 배열된 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 공통웰라인은,

외부로부터 입력되는 어드레스 신호를 디코딩하는 디코딩 수단으로부터 출력되는 디코딩 출력 신호에 연결되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 디코딩 수단은,

상기 외부로부터 입력되는 어드레스 신호를 디코딩하여 상기 다수의 워드라인 중 어느 한 워드라인을 선택적으로 구동하기 위한 제1 디코딩 회로부; 및

상기 외부로부터 입력되는 어드레스 신호를 디코딩하여 상기 다수의 공통웰라인 중 어느 한 열공통 웰라인을 선택적으로 구동하기 위한 제2 디코딩 회로부를 포함하여 이루어지며,

상기 제2 디코딩 회로부의 디코딩 출력 신호는,

동일한 열에 배열된 상기 단일 강유전체 트랜지스터의 공통웰라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6411542 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.