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캐소드 전극으로 사용되는 붕소가 1010/cm3 ~ 1020/cm3으로 도핑된 실리콘 웨이퍼인 전도성 기판;상기 전도성 기판 상의 일정 영역에 순차적으로 형성된 베리어 금속막, 촉매금속막 및 탄소나노튜브 에미터;상기 전도성 기판 상부에, 상기 베리어 금속막, 촉매 금속막 및 탄소나노튜브 에미터를 둘러싸는 구조로 형성되어 쉴드 시켜주기 위한 그라운드 전극; 및상기 전도성 기판 상부에, 상기 베리어 금속막, 촉매 금속막 및 탄소나노튜브 에미터를 에워싸는 마이크로 캐비티를 형성하고 상기 탄소나노튜브 에미터로부터 방출된 전자를 관통할 수 있는 홀을 구비하는 구조로 형성되며 상기 전도성 기판으로부터 차례로 형성된 절연막, 엑스트렉터 전극을 구비하는 구조물을 포함하여 구성되되,상기 탄소나노튜브 에미터는 상기 금속 촉매의 표면으로부터 상기 전도성 기판과 수직한 방향으로 성장되어 상기 홀의 중앙부에 자동 정렬된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스
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제 1 항에 있어서, 상기 그라운드 전극과 상기 전도성 기판 사이에는 추가로 절연막이 더 포함된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스
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제 1 항에 있어서, 상기 엑스트렉터 전극 상부에는 절연막이 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스
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제 1 항에 있어서,상기 베리어 금속막과 촉매 금속막의 두께는, 상기 탄소나노튜브가 일부에만 수직 방향으로 선택적으로 성장시키기 위해서 9
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제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 에미터와 상기 엑스트렉터 전극의 간격은 40um~100um 정도인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스
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제 1 항에 있어서,상기 베리어 금속은 타이나이트라이드(TiN)이며, 상기 촉매 금속막은 Ni, Fe, Co 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 기판과 상기 절연막 및 엑스트렉터 전극을 구비하는 구조물은 에노딕본딩으로 부착된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스
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제 1 항에 있어서,상기 절연막 및 엑스트렉터 전극을 구비하는 구조물에서 상기 엑스트렉터 전극은 실리콘 멤브레인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스
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제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항 중 어느 하나의 항에 의한 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스; 상기 엑스트렉터 전극을 에워싸되고 상기 탄소나노튜브 에미터로부터 방출된 전자를 관통할 수 있는 홀을 구비하는 구조로 형성되며 상기 엑스트렉터 전극으로부터 차례로 형성된 절연막, 애노드 전극; 및 상기 애노드 전극을 에워싸되고 상기 탄소나노튜브 에미터로부터 방출된 전자를 관통할 수 있는 홀을 구비하는 구조로 형성되며 상기 애노드 전극 전극으로부터 차례로 형성된 절연막, 빔리미터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로컬럼 모듈
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제 10 항에 있어서, 상기 캐소드 전극에는 1~2kV의 음전압을 인가하고, 상기 엑스트렉터 전극에는 300-500V의 전압을 인가하고, 상기 아노드 전극과 상기 빔리미터 전극에 각각 0-100V를 인가하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로컬럼 모듈
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제 10 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로컬럼 모듈은 칩 하나 또는 웨이퍼에 여러개의 전자빔 마이크로컬럼 모듈을 어레이 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로컬럼 모듈
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탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스의 제조 방법에 있어서,붕소가 1010/cm3 ~ 1020/cm3으로 도핑된 실리콘 웨이퍼인 전도성 기판 상의 절연막, 그라운드전극을 증착하여 둥근 고리 모양으로 패터닝하는 단계;상기 전도성 기판과 마이크로 캐비티 형상을 가지고 상기 탄소나노튜브 에미터로부터 방출된 전자를 관통할 수 있는 홀을 구비하는 구조로 절연막, 엑스트렉터 전극이 차례로 형성된 구조물을 상기 전도성 기판에 에노딕 본딩하는 단계; 상기 홀을 통하여 전도성 기판 상부 일영역에 베리어 금속막과 촉매 금속막을 선택적으로 형성하는 단계; 및상기 금속 촉매막의 표면으로부터 상기 전도성 기판과 수직한 방향으로 상기 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하며,상기 탄소나노튜브는 상기 홀의 중앙부에 자동 정렬된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 성장시키는 단계는 상기 전도성 기판에 600 내지 700 V 바이아스를 걸어주는 열화학 증착법 또는 플라즈마 화학 증착법을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 전자빔 마이크로소스의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 베리어 금속막과 촉매 금속막을 선택적으로 형성하는 단계는, 9
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제 13 항에 있어서, 상기 베리어 금속막과 촉매 금속막을 선택적으로 형성하는 단계는, 9
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