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반도체 레이저 소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015099764
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	광학적 손실을 최소화할 수 있는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 레이저 소자는, 기판, 상기 기판상의 소정 부분에 형성되는 능동 도파로, 상기 능동 도파로 일측에 능동 도파로와 맞닿도록 형성되면서, 코어층을 포함하는 수동 도파로, 및 상기 능동 도파로 및 수동 도파로 상부에 형성되는 클래드층을 포함하며, 상기 수동 도파로의 코어층 상하에는 상기 코어층과 서로 다른 조성을 갖는 SCH(separated confinement heterostructure)층이 더 형성된다. 광도파로, 광결합 계수, 광결합 효율, SCH
Int. CL	H01S 5/30 (2006.01)
CPC	H01S 5/3409(2013.01) H01S 5/3409(2013.01) H01S 5/3409(2013.01)
출원번호/일자	1020020079735 (2002.12.13)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0596380-0000 (2006.06.27)
공개번호/일자	10-2004-0052017 (2004.06.19) 문서열기
공고번호/일자	(20060703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2002.12.13)
심사청구항수	7

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김기수	대한민국	전라북도전주시완산구
2	심은덕	대한민국	대전광역시유성구
3	김성복	대한민국	대전광역시유성구
4	오대곤	대한민국	대전광역시유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)
2	이해영	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2002-0414968-75
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.09.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.10.18	수리 (Accepted)	9-1-2004-0062033-22
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0150943-70
5	의견서 Written Opinion	2005.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0224042-70
6	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.04.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0224043-15
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0477168-26
8	의견서 Written Opinion	2005.11.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0685963-39
9	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.11.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0685964-85
10	등록결정서 Decision to grant	2006.05.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0241626-58
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판상의 소정 부분에 형성되는 능동 도파로; 상기 능동 도파로 일측에 능동 도파로와 맞닿도록 형성되는 수동 도파로; 및상기 능동 도파로 및 수동 도파로 상부에 형성되는 클래드층을 포함하며,상기 수동 도파로는,상기 기판 상부에 형성되는 제 1 SCH(separated confinement heterostructure)층,상기 제 1 SCH층 상부에 형성되며 상기 제 1 SCH층과 다른 조성을 갖는 코어층; 및상기 코어층 상부에 형성되는 제 2 SCH층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 SCH층은 상기 코어층에 비하여 상대적으로 큰 밴드갭을 가지면서, 상대적으로 낮은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 SCH층 및 상기 코어층은 InGaAsP 물질로 형성되되, 그 조성비가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 능동 도파로는, 상기 기판상에 형성되는 제 1 SCH층; 상기 제 1 SCH층 상부에 형성되는 광활성층; 및 상기 광활성층 상부에 형성되는 제 2 SCH층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 클래드층은, 상기 능동 도파로 상부에 형성되는 제 1 클래드층과, 상기 수동 도파로 상부에 형성되는 제 2 클래드층과, 상기 제 1 및 제 2 클래드층 상부에 형성되는 제 3 클래드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저
6	6 기판상에 능동 도파로용 제 1 SCH층, 광활성층, 제 2 SCH층 및 제 1 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제 1 클래드층, 제 2 SCH층, 광활성층, 제 1 SCH층 및 InP 기판의 일부를 식각하여, 수동 도파로 영역을 한정하는 단계; 상기 기판의 수동 도파로 영역 상에 수동 도파로용 제 1 SCH층, 코어층, 제 2 SCH층 및 제 2 클래드층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 및 제 2 클래드층 상부에 제 3 클래드층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 수동 도파로용 제 1 및 제 2 SCH층은 상기 코어층에 비하여 상대적으로 높은 밴드갭을 가지면서 낮은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 클래드층, 제 2 SCH층, 광활성층, 제 1 SCH층 및 InP 기판의 일부를 식각하여, 수동 도파로 영역을 한정하는 단계는,상기 제 1 클래드층 상부에 수동 도파로 영역이 노출되도록 절연 마스크막을 형성하는 단계; 및상기 절연 마스크를 마스크로 이용하여 상기 제 1 클래드층, 제 2 SCH층, 광활성층, 제 1 SCH층 및 InP 기판의 일부를 식각하는 단계를 포함하며,상기 절연 마스크는 상기 제 2 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 제 3 클래드층을 형성하는 단계 사이에 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법
8	7 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 클래드층, 제 2 SCH층, 광활성층, 제 1 SCH층 및 InP 기판의 일부를 식각하여, 수동 도파로 영역을 한정하는 단계는,상기 제 1 클래드층 상부에 수동 도파로 영역이 노출되도록 절연 마스크막을 형성하는 단계; 및상기 절연 마스크를 마스크로 이용하여 상기 제 1 클래드층, 제 2 SCH층, 광활성층, 제 1 SCH층 및 InP 기판의 일부를 식각하는 단계를 포함하며,상기 절연 마스크는 상기 제 2 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 제 3 클래드층을 형성하는 단계 사이에 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0596380-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20021213 출원 번호 : 1020020079735 공고 연월일 : 20060703 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060527 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01S 5/30 발명의 명칭 : 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20120628

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	229,500 원	2006년 06월 28일	납입
제 4 년분	금 액	194,000 원	2009년 06월 02일	납입
제 5 년분	금 액	194,000 원	2010년 06월 01일	납입
제 6 년분	금 액	194,000 원	2011년 06월 09일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2002-0414968-75
2	선행기술조사의뢰서	2004.09.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2004.10.18	수리 (Accepted)	9-1-2004-0062033-22
4	의견제출통지서	2005.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0150943-70
5	의견서	2005.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0224042-70
6	명세서등보정서	2005.04.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0224043-15
7	의견제출통지서	2005.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0477168-26
8	의견서	2005.11.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0685963-39
9	명세서등보정서	2005.11.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0685964-85
10	등록결정서	2006.05.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0241626-58
11	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
12	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1445005267
세부과제번호	2400060001000301000001
연구과제명	음성정보처리기반기술
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2001
연구기간	200111~200410
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020020079735]	반도체 레이저 소자 및 그 제조방법	새창보기

중요키워드

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