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열을 흡수하는 공통 전극;상기 공통 전극과 동일 평면 상에 형성되며, 열을 방출하는 제 1 전극 및 제 2 전극;상기 공통 전극과 상기 제 1 전극 사이에 연결되어 전자를 공급하는 N-레그; 및상기 공통 전극과 상기 제 2 전극 사이에 연결되어 홀(hole)을 공급하는 P-레그를 포함하고,상기 N-레그와 상기 P-레그에는 상기 공통 전극과 상기 제 1, 2 전극 간의 열 전도를 억제하기 위한 장벽 물질이 형성되는열전소자
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제 1항에 있어서,상기 장벽 물질은 상기 N-레그와 상기 P-레그를 구성하는 반도체 물질보다 전기 전도도는 같거나 더 크고 열 전도도는 더 작은 것을 특징으로 하는열전소자
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제 2항에 있어서,상기 장벽 물질과 상기 반도체 물질은 오믹(Ohmic) 접합되는 것을 특징으로 하는열전소자
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제 1항에 있어서,상기 장벽 물질은 포논(phonon)의 전파를 방해하기 위한 어븀(Er), 유로피움(Eu), 사마륨(Sm), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 이터븀(Yb), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 타이타늄(Ti) 적어도 하나를 포함하는 금속-반도체 화합물로 형성되는열전소자
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제 1항에 있어서,상기 장벽 물질은 상기 N-레그 또는 상기 P-레그를 수직으로 가르지르는 띠 형태이거나, 다수의 반복된 도형 형태로 형성되는열전소자
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제 5항에 있어서,상기 장벽 물질이 상기 다수의 반복된 도형 형태로 형성되는 경우, 상기 장벽 물질 간의 거리는 포논의 파장보다는 작고 전자 또는 홀의 페르미 파장보다는 큰 것을 특징으로 하는열전소자
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제 1항에 있어서,상기 공통 전극, 상기 제 1, 2 전극, 상기 N-레그 및 상기 P-레그는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘게르마늄(SiGe) 및 그래핀(Graphene) 중 적어도 하나를 포함하는 기판을 사용하여 형성되는열전소자
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제 7항에 있어서,상기 공통 전극, 상기 제 1, 2 전극, 상기 N-레그 및 상기 P-레그가 형성되는 기판의 두께는 100nm 이하인 것을 특징으로 하는열전소자
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