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기판상에 컬렉터층, 베이스층 및 에미터층을 포함하고, 상기 각 층과 접속된 컬렉터 전극, 베이스 전극 및 에미터 전극을 포함하는 이종접합 바이폴라 트렌지스터에 있어서,상기 기판의 일측 상에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 에미터캡층, 에미터전극 및 베이스전극이 형성된 소자영역과,상기 기판의 다른 일측 상에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층 및 베이스패드가 순차적으로 형성된 패드영역과,상기 소자영역의 베이스전극과 상기 패드영역의 베이스패드가 다리구조 형태로 서로 연결된 연결선을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 소자영역은 기판 위에 형성된 부컬렉터층과,상기 부컬렉터층 상의 소정영역에 메사 형태를 갖고 형성된 베이스층/컬렉터층과,상기 베이스층 상부에 메사 형태를 갖고 형성된 에미터층과,상기 에미터층 상부에 형성된 에미터캡층과,상기 베이스층 상부에 에미터층과 소정간격을 두고 주변에 형성된 베이스전극을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 에미터층과 베이스전극 간의 소정간격은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 소자영역은 육각형 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 패드영역은 기판 위에 형성된 부컬렉터층과,상기 부컬렉터층 상의 소정영역에 메사 형태를 갖는 베이스층/컬렉터층과, 상기 베이스층 상부에 형성된 베이스패드를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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제 1 항에 있어서상기 연결선은 상기 베이스전극과 베이스패드의 너비보다 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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제 6 항에 있어서상기 연결선은 1㎛ 이하의 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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제 1 항에 있어서상기 에미터층, 베이스/컬렉터층 및 컬렉터층 중 적어도 하나 이상은 역경사 또는 수직 단면 형상을 갖는 메사형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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(a) 기판 상에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 에미터캡층 및 소정형상의 에미터전극을 순차적으로 적층하는 단계와,(b) 상기 에미터전극을 마스크로 하여 상기 기판에 수직 및 역경사 방향으로 식각하여 상기 베이스층이 노출되도록 메사형태의 에미터층을 형성하는 단계와, (c) 상기 에미터전극을 마스크로 하여 노출된 상기 베이스층의 상부에 상기 에미터전극과 자기정렬되는 베이스전극 및 다른 일측에 베이스패드를 형성하고, 상기 베이스패드와 베이스전극보다 좁은 폭으로 이를 연결하는 연결선을 형성하는 단계와, (d) 리소그라피 공정을 통해 상기 베이스전극과 베이스패드 간의 연결선 영역을 노출시키고 측면식각을 통해 노출된 연결선 하부의 베이스층 및 컬렉터층을 제거하는 단계와,(e) 노출된 부컬렉터층 상에 컬렉터전극을 형성하는 단계와, (f) 상기 연결선 하부의 부컬렉터층을 제거하는 단계를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 (a) 단계에서 소정형상의 에미터전극은 형상반전(image-reversal) 리소그라피 기술을 이용하여 역경사를 갖는 감광막(photoresist)을 형성하고 금속 증착 및 리프트 오프(lift-off) 공정을 이용하여 육각형 모양의 에미터전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 인산, 과산화수소, 물 중 적어도 하나 이상으로 이루어진 식각용액(etchant)을 사용하여 에미터캡층을 식각하는 단계와,염산, 인산 중 적어도 하나 이상으로 이루어진 식각용액을 사용하여 상기 에미터층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서상기 (c) 단계에서 연결선은 1㎛ 이하의 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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