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전도성 고분자 전극층을 포함하는 전극을 구비한 분자 전자소자

  • 기술번호 : KST2015100010
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전도성 고분자 전극층을 포함하는 전극을 구비한 분자 전자 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자는 제1 전극과, 제1 전극 위에 자기조립되어 있고 고리화합물을 포함하는 전기활성 작용기를 가지는 기능성 분자 활성층과, 기능성 분자 활성층 위에 형성된 제2 전극을 포함한다. 제2 전극은 기능성 분자 활성층과 접해 있는 전도성 고분자 전극층과, 전도성 고분자 전극층 위에 형성된 금속 전극층을 포함한다. 제2 전극의 전도성 고분자 전극층에 의해 기능성 분자 활성층의 손상이 억제되어 초박형 미세 분자 전자 소자에서의 단락 발생을 방지한다. 분자 전자 소자, 전도성 고분자 전극층, 기능성 분자 활성층, 스위칭, 메모리
Int. CL H01L 29/12 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070030010 (2007.03.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0833516-0000 (2008.05.23)
공개번호/일자 10-2008-0044740 (2008.05.21) 문서열기
공고번호/일자 (20080529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060113484   |   2006.11.16
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 대전 서구
2 이정현 대한민국 대전 유성구
3 구자룡 대한민국 서울 강동구
4 정미희 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 미래테크코퍼레이션 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0241106-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2008-0023604-83
4 등록결정서
Decision to grant
2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0211858-65
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 자기조립되어 있고 고리화합물을 포함하는 전기활성 작용기를 가지는 기능성 분자 활성층과, 상기 기능성 분자 활성층 위에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 기능성 분자 활성층과 접해 있는 전도성 고분자 전극층과, 상기 전도성 고분자 전극층 위에 형성된 금속 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 기능성 분자 활성층은 티올 유도체 또는 실란 유도체를 포함하는 화합물이 상기 티올 유도체 또는 실란 유도체를 정착기로 하여 상기 제1 전극에 자기조립 방식에 의해 선택적으로 결합되어 형성된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 기능성 분자 활성층은 단일의 분자층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 기능성 분자 활성층은 니트로페닐렌에티닐렌 (nitrophenylene ethinylene) 티올기로 이루어진 화합물, 니트로페닐렌에티닐렌 실란기로 이루어진 화합물, 디니트로비피리딜 에티릴페닐 티올 화합물, S-[4-({4-[(4-아세틸설퍼닐-페닐)-메틸-아미노]-페닐}-메틸-아미노)-페닐 티올 화합물, 로즈벤갈 티올기로 이루어진 화합물, 로즈벤갈 실란기로 이루어진 화합물, 디니트로티오펜 그룹과 티올 유도체가 도입된 아미노벤젠 그룹을 가지는 아조 화합물, 디니트로티오펜 그룹과 실란 유도체가 도입된 아미노벤젠 그룹을 가지는 아조 화합물, 터피리딜기와 금속 원소가 결합된 유기금속-티올 유도체 화합물, 및 터피리딜기와 금속 원소가 결합된 유기금속-실란 유도체 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속 원소는 코발트, 니켈, 철 및 루쎄니움으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자 전극층은 PEDOT/PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with poly(4-styrenesulonate)), 폴리아닐린(polyaniline), 술폰산으로 도핑된 폴리아닐린, 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜 (polythiophene), 폴리(3,4-에틸렌티오펜) (poly(3,4-ethylenethiophene)), 폴리포르피린 (polyporphyrins), 또는 폴리메탈로센으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 1종의 금속으로 이루어지는 단일층, 또는 적어도 2종의 서로 다른 금속이 차례로 적층된 다중층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 제2 전극의 금속 전극층은 1종의 금속으로 이루어지는 단일층, 또는 적어도 2종의 서로 다른 금속이 차례로 적층된 다중층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 제2 전극의 금속 전극층은 배리어막과 금속막의 적층 구조로 이루어지고, 상기 배리어막은 상기 전도성 고분자 전극층과 접해 있는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 배리어막은 Ti로 이루어지고, 상기 금속막은 Au로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07880165 US 미국 FAMILY
2 US20080116451 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008116451 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7880165 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.