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광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015100072
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고속 광통신 시스템의 핵심 소자로서 요구되고 있는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 광변조기 부분에서 빛이 출력되는 면을 광도파로 방향에 대해 비스듬하게 경사진 면으로 형성하여 다시 광도파로로 재입사되는 빛의 양을 줄일 수 있는 반도체 소자를 제공한다. 본 발명에 의하면 광출력단에서 반사되는 빛의 위상을 조절하여 다시 분포궤환형 레이저에 입사되더라도 레이저의 동작 특성을 변화시키지 않도록 하여 반도체 소자가 안정적인 변조 광출력을 낼 수 있도록 한다. 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드, 반사광, 주파수 응답 특성, 재입사
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC H01S 3/09415(2013.01) H01S 3/09415(2013.01) H01S 3/09415(2013.01)
출원번호/일자 1020060123836 (2006.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0949541-0000 (2010.03.18)
공개번호/일자 10-2008-0051955 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20100325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080125139;
심사청구여부/일자 Y (2006.12.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중선 대한민국 대전광역시 서구
2 이명현 대한민국 대전광역시 유성구
3 권용환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0908007-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.02 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064299-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0638086-37
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0062939-67
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0062919-54
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0256305-27
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0494713-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.09 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2008-0494738-52
10 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2008.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0571305-83
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0571306-28
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0849772-21
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2009.02.16 수리 (Accepted) 7-8-2009-0005208-78
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0101074-33
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
분포궤환형 레이저 다이오드에 광변조기가 집적된 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드에 있어서, 상기 광변조기와 상기 분포궤환형 레이저 다이오드는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 광도파로 형태로 적층되는 n형 반도체 도핑층, 활성층 및 p형 반도체 도핑층; 상기 n형 반도체 도핑층 상에 그라운드 전극으로 형성되는 n형 오믹 전극; 및 상기 p형 반도체 도핑층 상에 두 부분으로 각각 형성되는 p형 오믹 전극을 포함하되, 상기 광변조기의 출력면은 상기 광도파로 방향에 대하여 일정 범위의 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 광변조기의 출력면은 상기 광도파로 방향에 대하여 3°에서 10° 사이의 경사도를 갖는 것을 특징으로 하는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 광변조기의 출력면은 식각 면인 것을 특징으로 하는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 InGaAsP 물질계의 다중 층으로 이루어지는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드
5 5
반도체 기판 상에 광도파로 형태로 n형 반도체 도핑층, 활성층 및 p형 반도체 도핑층을 적층하는 단계; 상기 광도파로의 출력단이 형성될 단면을 경사지게 식각하는 단계; 상기 n형 반도체 도핑층 상에 그라운드 전극으로 n형 오믹 전극을 형성하는 단계; 및 상기 p형 반도체 도핑층 상에 광변조기용 p형 오믹 전극 및 분포궤환형 레이저용 p형 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 광변조기용 p형 오믹 전극 및 상기 분포궤환형 레이저용 p형 오믹 전극 사이에 분리 트랜치를 형성하는 단계를 더 포함하는 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.