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실리콘 기판의 표면에 바나듐을 흡착시키는 단계 및
상기 흡착된 바나듐에 플라즈마화된 산소를 반응시켜 바나듐 산화막을 형성하되, 상기 실리콘 기판의 표면 온도를 제어하여 상기 반응에 의하여 형성된 바나듐 산화막이 정방정형(tetragonal) 결정 구조가 되도록 하는 단계
를 포함하는 바나듐 산화막 생성 방법
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제1항에 있어서,
상기 실리콘 기판의 표면에 흡착된 바나듐을 제외한 나머지를 불활성 기체를 이용하여 제거하는 단계
를 더 포함하는 바나듐 산화막 생성 방법
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제2항에 있어서,
상기 불활성 기체는 아르곤(Ar)을 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 산화막 생성 방법
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제1항에 있어서,
상기 실리콘 기판의 표면 온도는 섭씨 100도 내지 섭씨 500도인 것을 특징으로 하는 바나듐 산화막 생성 방법
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5
제1항에 있어서,
상기 실리콘 기판에 흡착되는 바나듐의 온도는 섭씨 60도 내지 섭씨 80도인 것을 특징으로 하는 바나듐 산화막 생성 방법
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제1항에 있어서,
상기 실리콘 기판 주위의 기압은 0
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7
제1항에 있어서,
상기 플라즈마화된 산소를 발생시키는 플라즈마 발생기의 전력은 1와트(W) 내지 1킬로와트(kW)인 것을 특징으로 하는 바나듐 산화막 생성 방법
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