| 1 |
1
X-선 마스크에서 정렬광이 투과되는 정렬창 부분의 멤브레인은 Si3N4가, X-선 리소그래피시 노출되어 발생되는 손실을 방지하기 위해 X-선이 투과하는 칩 부분의 멤브레인은 Si3N4/poly-Si/Si3N4가 하나의 실리콘 웨이퍼 앞면에 형성되고, 상기 웨이퍼 뒷면에는 파이렉스 링이 접합되어 구성된 것을 특징으로 하는 X-선 브랭크마스크
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 정렬창 멤브레인은 상기 Si3N4에 SiO2가 더 포함되어 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 브랭크마스크
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 칩 분의 멤브레인은 상기 Si3N4와 poly-Si/Si3N4 사이에 SiO2가 더 포함되어 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 브랭크마스크
|
| 4 |
4
제1실리콘 앞뒷면상에 제1Si3N4박막, 제1poly-Si박막, 제2Si3N4박막을 순차로 증착하는 공정(a)과, 상기 제1실리콘 웨이퍼의 뒷면에 리소그래피 공정으로 원하는 부위를 패터닝(paterning)한 후, 상기 제2Si3N4박막, 제1poly-Si박막, 그리고 제1Si3N4박막을 건식 식각에 의해 순차로 식각하고, KOH용액에 의해 상기 제1실리콘 웨이퍼를 식각하여 투과막을 형성하는 공정(b)과, 상기 공정(b) 후 제1실리콘 웨이퍼의 뒷면에 제1레지스트를 도포하고, 리소그래피 공정으로 정렬창 부위의 상기 제1레지스트를 현상한 다음 웨이퍼 뒷면의 제2Si3N4박막을 삭각하는 공정(c)과, 상기 제1실리콘 웨이퍼의 앞뒷면에 형성된 상기 제1poly-Si박막을 KOH용액을 이용하여 식각하는 공정(d)과, 상기 제1실리콘 웨이퍼 뒷면의 제1레지스트를 제거하는 공정(e)과, 제1실리콘 웨이퍼 뒷면의 제1Si3N4박막 상면에 제1파이렉스 링을 접합하는 공정(f)으로 이루어진 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 제조방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 공정(d)의 제1Si3N4박막/제1poly-Si박막/제2Si3N4박막에서 제1poly-Si박막을 제거하는 공정은 상기 제1실리콘 웨이퍼 뒷면에 소정 레지스트를 사용하여 소정 두께 이상 도포하는 공정과, 소정 각도에 소정 시간동안 연화건조하는 공정과, 콘택트 프린팅을 사용하여 소정시간동안 노광하고, 소정 현상액을 이용하여 현상을 하는 공정과, CF4/O2 가스에서 Si3N4을 식각한 후, KOH용액의 소정 온도에서 제1poly-Si박막을 습식식각에 의해 식각하여 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 제조방법
|
| 6 |
6
제2실리콘 웨이퍼의 앞뒷면에 제3Si3N4박막, 제2poly-Si박막 제SiO2박막 그리고 제4Si3N4박막을 순차로 증착하는 공정(A)과, 상기 제2실리콘 웨이퍼의 뒷면에 리소그래피 공정으로 원하는 부위를 패터닝한 후, 상기 제4Si3N4박막, SiO2박막, 제2poly-Si박막 그리고 제3Si3N4박막을 건식식각에 의해 식각하고, KOH용액에 의하여 상기 제2실리콘 웨이퍼를 식각하여 투과막을 형성하는 공정(B)과, 상기 제2실리콘 웨이퍼의 뒷면에 제2레지스트를 도포하고, 리소그래피 공정으로 정렬창 부위의 상기 제2레지스트를 현상하는 공정(C)과, 상기 제2실리콘 웨이퍼의 뒷면에 노출된 제4Si3N4박막과 정렬창에 부위에 있는 제2실리콘 웨이퍼 앞면에 제3Si3N4박막을 식각하는 공정(D)과, 상기 제2실리콘 웨이퍼 앞면에 제2poly-Si박막을 식각한 후, 제2레지스트를 제거하는 공정(E)과, 상기 제2실리콘 웨이퍼 뒷면의 SiO2박막 상면에 파이렉스 링을 접합하는 공정(F)으로 이루어진 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 공정(E)의 제3Si3N4박막/SiO2박막/제2poly-Si박막/제4Si3N4박막에서 제2poly-Si박막을 제거하는 공정은 제2실리콘 웨이퍼 뒷면에 소정 레지스트를 사용하여 소정 두께 이상 도포하는 공정과, 소정 각도에 소정 시간동안 연화건조시키는 공정과, 콘택트 프린팅을 사용하여 소정 시간동안 노광하고, 소정 현상액에서 현상을 하는 공정과, C2F6/CHF3 가스에서 산화막을 식각한 다음, Cl2/He 가스에서 제2poly-Si박막을 반응성 건식식각에 의해 식각하여 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 제조방법
|
