맞춤기술찾기
이전대상기술
모노리식 GAAS MESFET 능동소자 발룬 회로
- 기술번호 : KST2015100359
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 MMIC 액티브 발룬회로에 관한 것으로 특히, 하나의 GaAs MESFET으로 이루어진 소스공통 MESFET과 소스와 드레인단에 달린 바이어스용 저항, 그 두개의 저항에 병렬로 각각 달린 한개의 GaAs MESFET과 두개의 저항, 한개의 캐패시터로 이루어진 전압가변용 저항을 포함하여 구성되어 소스 공통 발룬(111,121,122)에 다가 MESFET(111)의 소스나 드레인에 전압가변 저항회로(R1,R2)를 추가함으로서 출력전력의 불균형을 바로 잡아주는 것을 특징으로 하는 모노리식 GaAs MESFET능동소자 발룬 회로를 제공하면 모노리식회로의 액티브 발룬에서 출력전력의 불균형이 일어났을 경우에 전압조절만으로 균형을 잡아주는 회로이므로 신호의 feedthrough를 적게하는 성능향상을 시켜 산출율를 증가 시킬수 있다는 효과가 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H03H 7/42 (2006.01) |
| CPC | H03H 7/42(2013.01) H03H 7/42(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1019950053655 (1995.12.21) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-1997-0055475 (1997.07.31) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 거절 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1995.12.21) |
| 심사청구항수 | 1 |