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화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는방법

  • 기술번호 : KST2015100365
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MOCVD 방법으로 반도체 이종구조를 성장함에 있어서 레이저를 이용한 실시간 분석장치를 사용하여 반도체에 도핑된 불순물의 농도를 실시간으로 알아내는 방법과 고핑으로 인한 성장조건의 변화중 성장속도의 시간에 따른 변화를 감지한 방법이다. 실시간 분석장치로 알아낸 성장중의 반사신호는 에피층오가 기판에서의 레이저 간섭신호에 의해 반사신호가 주기적 성향을 띠며, 에피층에 흡수가 있을 경우 반사신호의 진폭변화는 흡수계수에 의해 결정됨을 이용하고 흡수계수와 불순물농도의 관계를 이용하여 불순물의 농도를 계산할 수 있다. 또한 반사신호에 나타나는 개개의 피크를 독립적으로 분석하여 보면 시간에 따른 성장속도를 일일이 계산할 수 있는데 탄소도핑된 알루미늄비소층에서 성장속도의 시간에 따른 감속이 감지되었다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1019950052674 (1995.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0053234 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백종협 대한민국 대전광역시 유성구
2 이번 대한민국 대전광역시 유성구
3 최성우 대한민국 대전광역시 유성구
4 이진홍 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203832-26
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203834-17
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203833-72
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203835-63
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203836-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0107530-17
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0754983-80
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0755011-16
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0018243-44
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는 방법에 있어서, 에피택시장치의 성장실(100) 내부에 화합물 반도체기판(130)을 실장하고 반응개스를 주입하여 이종구조의 화합물 반도체 체층을 성장시키는 동시에 성장실(100)내의 화합물 반도체 체기판(130)의 표면에 레이저장치(10)로부터 헬륨-네온 레이저광과 다이오드 레이저 광을 동시에 주사하여 반사되는 레이저광의 반사율과 에피층의 굴절율의 변화를 분석하여 성장되는 화합물 반도체의 도핑농도와 성장속도를 실시간으로 분석함을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑 특성을 실시간으로 감지하는 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 성장속도(G)는 λ/2nT의 수식으로 산출되며, λ는 레이저의 파장, n은 성장되는 에피층의 굴절 율, T는 반사신호의 주기인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 이종구조의 화합물 반도체층은 알루미늄 비소층(140)과 갈륨 비소층(150)층을 형성하는 2단계의 에피텍시공정으로 형성되어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑 특성을 실시간으로 감지하는 방법

4 4

제2항에 있어서, 상기 성장속도는 헬륨-네온 레이저 또는 다이오드 레이저중 어느 하나를 이용하여 측정됨을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑 특성을 실시간으로 감지하는 방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 도핑특성은 성장되는 에피층의 레이저광의 흡수계수에 의해 측정됨을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑 특성을 실시간으로 감지하는 방법

6
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP09181138 JP 일본 FAMILY
2 US05705403 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP9181138 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH09181138 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US5705403 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.