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반도체소자제조용내열성금속질화물박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015100373
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 21/318 (2006.01)
CPC C23C 14/221(2013.01) C23C 14/221(2013.01)
출원번호/일자 1019890009643 (1989.07.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0061308-0000 (1993.04.13)
공개번호/일자 10-1991-0003770 (1991.02.28) 문서열기
공고번호/일자 1019930000228 (19930114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.07.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재신 대한민국 대전시서구
2 심규환 대한민국 대전시서구
3 박철순 대한민국 대전시유성구
4 강진영 대한민국 대전시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.07.06 수리 (Accepted) 1-1-1989-0056482-37
2 특허출원서
Patent Application		 1989.07.06 수리 (Accepted) 1-1-1989-0056481-92
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.07.06 수리 (Accepted) 1-1-1989-0056483-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1992.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0029754-11
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1992.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1989-0056484-28
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1992.07.23 수리 (Accepted) 1-1-1989-0056485-74
7 의견서
Written Opinion		 1992.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1989-0056486-19
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1992.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1989-0056487-65
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1992.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1989-0056488-11
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0029755-67
11 등록사정서
Decision to grant		 1993.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0029756-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 위에 내열성 금속의 질화막을 형성함에 있어서, 한개의 이온총으로 금속타켓을 스퍼터링하여 금속재료를 증착함과 동시에 다른 이온총으로 낮은 에너지의 질소이온을 기판에 직접 조사하여 기판상에 증착되는 내열금속의 질화반응을 촉진시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 내열성 금속질화물 박막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 금속타켓의 재료로 고순도의 W, Mo, Ti, Ta, Zr, WSi 중 한 두가지를 동시에 사용하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 내열성 금속질화물 박막의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 제1이온총은 아르곤등의 불활성기체의 이온을 방출하여 금속타켓에 조사하고, 제2이온총은 질소 또는 질소와 불활성기체의 혼합기체를 사용하여 낮은 에너지의 질소이온의 가속에너지를 30-200eV 로 조사하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 내열성 금속질화물 박막의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 기판의 재료로 실리콘, 갈륨비소, 또는 III-V족 혼정화합물 반도체 웨이퍼를 이용하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 내열성 금속질화물 박막의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 진공용기의 진공도가 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.