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금속층되식각방법을이용한반도체제조방법

  • 기술번호 : KST2015100375
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 23/50 (2006.01)
CPC H01L 21/3213(2013.01) H01L 21/3213(2013.01)
출원번호/일자 1019890011897 (1989.08.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1991-0005437 (1991.03.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.08.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진희 대한민국 충청남도대전시대덕구
2 이재신 대한민국 충청남도대전시서구
3 양전욱 대한민국 충청남도대전시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1989.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1989-0069839-37
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1989.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1989-0069838-92
3 특허출원서
Patent Application
1989.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1989-0069837-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1992.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0036834-30
5 의견서
Written Opinion
1992.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1989-0069840-84
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1992.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1989-0069841-29
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1992.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0036835-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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금속층 접속공을 다층 금속층 사이에 평탄하게 형성하기 위한 반도체 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 형성된 제1금속층 위에 층간절연막과 1차 감광막을 형성하고 금속층 접속공 부위를 형성하는 단계와, 층간 절연막을 식각하는 단계와, 금속층과 2차 감광막을 형성하는 단계와, 금속층 접속공의 금속층까지 되식각하는 단계들에 의하여 금속층 접속공에 금속층이 매립되도록 하고 제2금속층을 형성하도록 한 금속층 되식각 방법을 이용한 반도체 제조방법

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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.