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비결정실리콘을이용한자기정렬트랜지스터제조방법

  • 기술번호 : KST2015100391
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/68 (2006.01) H01L 29/08 (2006.01)
CPC H01L 29/7373(2013.01)H01L 29/7373(2013.01)H01L 29/7373(2013.01)
출원번호/일자 1019880011545 (1988.09.07)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0045601-0000 (1991.10.31)
공개번호/일자 10-1990-0005610 (1990.04.14) 문서열기
공고번호/일자 1019910005401 (19910729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.09.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유현규 대한민국 대전시서구
2 강상원 대한민국 대전시중구
3 이진효 대한민국 대전시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.09.07 수리 (Accepted) 1-1-1988-0066804-91
2 특허출원서
Patent Application		 1988.09.07 수리 (Accepted) 1-1-1988-0066803-45
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.09.07 수리 (Accepted) 1-1-1988-0066805-36
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1990.02.02 수리 (Accepted) 1-1-1990-9001949-47
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1991.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0037447-18
6 등록사정서
Decision to grant		 1991.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0037449-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

PSA 트랜지스터 형성에 있어서, (a) P형 진성 베이스(104) 표면에 분포된 자연 산화막(111)을 제거하기 위해 아르곤 스퍼터링 공정을 한 후, (b) 상기 자연 산화막이 제거된 표면에 에미터 콘택 및 에미터 접합 형성을 위해 확산소스의 기능을 갖는 제1비결정 실리콘(116)을 증착시킨 다음, (c) 불순물을 이온 주입한 후 열처리로 제1비결정 실리콘 표면까지 확산시켜 에미터 접합(118)을 형성하고, (d) 상기 확산공정에서 생긴 자연 산화막(117)을 제거하기 위해 아르곤 스퍼터링 공정을 하며, (e) 상기 산화막 제거 후 선간 저항 감소 및 안정된 실리사이드 형성을 위해 타이타늄막(120)과 제2비결정 실리콘(121)을 증착시킨 다음, (f) 불순물을 이온 주입한 후 열처리로 타이타늄 실리사이드(122)를 형성하여 상기 P형 진성 베이스(104)위에 제1비결정 실리콘(116)/타이타늄막(120)/제2비결정 실리콘(121)의 3층 구조를 갖도록 한 것을 특징으로 하는 비결정 실리콘을 이용한 자기정렬 트랜지스터 제조방법

2 2

제1항에 있어서, (a)공정 및 (d)공정은 웨이퍼를 압력 1017인 스퍼터 장비에 로딩하여 순도 99

3 3

제1항에 있어서, (b)공정은 진공상태에서 증착온도 550-750℃, 증착속도 초당 5-10Å의 느린 증착 속도를 유지하면서 두께 2000-2500Å의 비결정 실리콘을 증착시키도록 한 것을 특징으로 하는 비결정 실리콘을 이용한 자기정렬 트랜지스터 제조방법

4 4

제1항에 있어서, (c)공정은 이온 주입기로 에너지 150KeV, 도우즈양 1X1020cm-3의 소자를 제1비결정 실리콘 위에 주입시킨 다음 급속 열처리 장치로 온도 1100-1150℃의 아르곤 분위기에서 10-20초 동안 제1비결정 실리콘에 포함된 비소를 실리콘 표면으로 확산시켜 0

5 5

제1항에 있어서, (e)공정은 진공상태에서 타이타늄막을 두께 500Å으로 증착시킨 다음 그 위에 제2비결정 실리콘을 300Å 두께로 증착시키도록 한 것을 특징으로 하는 비결정 실리콘을 이용한 자기정렬 트랜지스터 제조방법

6 6

제1항에 있어서, (f)공정은 에너지 80-100KeV, 도우즈양 1X1020cm-3의 비소를 주입시킨 다음 급속 열처리 장비로 온도 700℃에서 20-30초 동안 실리콘이 타이타늄에 흡수되도록 하여 안정된 타이타늄 실리사이드를 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 비결정 실리콘을 이용한 자기정렬 트랜지스터 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02083934 JP 일본 FAMILY
2 JP06042490 JP 일본 FAMILY
3 US04977098 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP1910800 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2083934 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6042490 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH0283934 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH0642490 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US4977098 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.