| 1 |
1
P-SDB방법에 의한 SOI(Silicon On Insulator) 기판 제조방법에 있어서, 소정의 SOI 두께만큼 시드웨이퍼(10)를 식각하여 매몰정렬자(11)를 형성하는 단계와, 상기 매몰정렬자(11)의 상면에 절연막(12)을 소정의 두께로 증착한 후 다결정 실리콘(13)을 증착하는 단계와, 상기 다결정 실리콘(13)을 경면처리하는 단계와, 다결정 실리콘 경면(14)과 핸들웨이퍼(16)의 상면에 실리콘 산화막(15)을 소정의 두께로 증착한 후 상기 두 웨이퍼(10, 16)를 접착시키는 단계와, 접착된 웨이퍼를 뒤집은 후 상기 시드웨이퍼(10)의 상면에서 부터 상기 매몰정렬자(11)에 채원진 상기 절연막(12)의 상면이 나타날때 까지 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매몰정렬자를 이용한 SOI기판 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 하부의 다결정 실리콘(13)과 전기적으로 접촉하기 위한 플레이트 전극(22)을 형성하기 위하여 추가로 깊은 트랜치를 식각하지 않고 플레이지트 전극(22)을 형성시키고자 하는 영역에 있는 매몰정렬자(11)상의 절연막(12)만 식각함으로써 다결정 실리콘(13)과 상기 플레이트 전극(22)이 쉽게 접촉될 수 있게함을 특징으로 하는 매몰정렬자를 이용한 SOI기판 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화막(15)을 생략하고, 상기 시드웨이퍼(10)과 상기 핸들웨이퍼(16)를 접착시키는 것을 특징으로 하는 매몰정렬자를 이용한 SOI기판 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 절연막의 두께는 2000∼5000Å이고, 상기 다결정 실리콘의 두께는 4∼5㎛이고, 상기 실리콘 산화막의 두께는 3000∼5000Å임을 특징으로 하는 매몰정렬자를 이용한 SOI기판 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판(19)의 연마속도가 절연막 표면(17)의 연마속도 보다 100배 이상의 선택비를 갖는 폴리싱(polishing) 조건으로 연마됨을 특징으로 하는 매몰정렬자를 이용한 SOI기판 제조방법
|
| 6 |
6
PS-SDB 방법에 의해 제조된 SOI기판에 있어서, 시드웨이퍼(10)상에 소정의 깊이로 식각하여 매몰정렬자(11)를 형성하고, 상기 매몰정렬자(11)의 상면에 절연막을 소정의 두께로 증착한 후 다결정 실리콘(13)을 성장시키고, 상기 다결정 실리콘(13)의 경면(14)에 실리콘 산화막(15)을 증착한 구조를 특징으로 하는 매몰정렬자를 이용한 SOI기판
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 매몰정렬자(11)에 증착된 절연막(12)과 실리콘 산화막(15)으로 이중 처리된 구조를 특징으로 하는 SOI기판
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 매몰정렬자(11)의 내부에 채워지는 다결정 실리콘(13), 기판콘택(12a) 및 플레이트 콘택(22)로 임의의 원하는 SOI기판(19)에 전위를 인가시키는 것을 특징으로 한 매몰정렬자를 이용한 SOI기판
|
| 9 |
|
