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규소기판 위에 고농도로 불순물이 첨가된 SUB-콜렉터(1)를 형성하고, 그 위에 콜렉터 박막(2)을 형성한 다음, 소자격리를 위해 트렌치를 형성한 후, 측면절연막 및 다결정 규소박막(3)을 채운 후, 소정의 방법으로 상기 다결정 규소박막(3)을 제거하고, 소자격리를 하기위해 열산화에 의해 산화막(4)을 형성한 다음, 상기 콜렉터부분(5)에 열처리를 하는 고정(a)과, 상기 웨이퍼전면에 베이스박막(6)과 에미터박막(7)을 형성하고, 그 위에 완충용 절연막(8)과 산화방지용 절연막(9)을 순차로 형성하고, 그 위에 감광막을 마스크로 베이스박막(6)이 남도록 상기 절연막들(8,9), 상기 에미터박막(7)을 차례로 식각한 후, 상기 감광막을 제거하는 공정(b)과, 상기 에미터박막(7)의 양측면에 원하는 두께의 측면절연막(10)을 형성한 후, 상기 노출된 베이스박막(6) 위에 선택적으로 베이스 전극용 박막(11)을 상기 측면절연막(10) 이하가 되도록 형성하고, 이 위에 베이스전극을 정의하기 위하여 감광막(12)을 형성하는 공정(c)과, 상기 감광막(12)을 마스크층으로 하여 베이스전극이 형성되는 부분의 박막(13)과 베이스박막(14)을 제외한 부분을 제거하는 공정(d)과, 상기 감광막(12)을 제거한 후 상기 산화방지용 절연막(9)을 마스크로 하여 상기 베이스 전극용 박막(13)을 선택적인 산화에 의해서 산화막(15,16)을 형성하고, 에미터와 베이스 접합을 하기 위해 열처리에 의해서 에미터박막(7)과 베이스전극용 박막(17)으로부터 불순물을 확산시켜 에미터-베이스 접합(19)과 비활성 베이스영역(18)을 형성하는 공정(e)과, 에미터접점을 형성하기 위해서 자기정렬법에 의해 상기 산화방지용 절연막(9)을 선택적으로 제거 및 상기 완충용 절연막(8)을 제거한 다음, 상기 베이스박막(17)과 콜렉터부분(21)에 금속박막(20)을 형성하는 공정(f)을 포함하는 선택적 결정성장법을 이용한 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스박막(6)은 규소박막, 규소 저매늄박막, 규소/규소 저매늄박막, 규소/규소 저매늄/규소박막 등으로 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 결정성장법을 이용한 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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