| 1 |
1
기판(1)위에 소정의 에피증착기계로 컬렉터접합층(2)을 형성하고, 그 위에 컬렉터(3)를 형성한 위에 상대적으로 얇은 베이스(4)를 형성하고, 에미터(5), 에미터 캡(6)을 각각 차례로 형성하여 웨이퍼 표면을 형성하는 공정(A)과, 상기 에미터 캡(6), 에미터(5), 매몰된 베이스(4), 컬렉터(3), 컬렉터접합층(2)을 각각 식각함으로써 에미터 메사, 베이스 메사를 각각 형성하는 공정(B)과, 상기 (B)공정위에 트랜지스터의 표면을 보호하기 위한 절연막(7)을 증착시키고, 상기 에미터 캡(5) 상부와 상기 컬렉터접합층(2) 상부에 접촉개구면을 형성하기 위하여 식각하는 공정(C)과, 상기 접촉개구면을 형성하기위해 식각된 부분에 각각 에미터 전극(8)과 컬렉터전극(9)을 증착하고 열처리하여 저항성접촉을 시키는 공정(D)과, 상기 베이스(4)의 접촉개구면을 식각한 후, 저항성접촉 금속인 인듐(10)과 내화금속인 확산장벽금속(11)을 차례로 증착시키고, 상대적으로 낮은 온도로 열처리하여 상기 인듐(10)을 확산시켜 상기 매몰된 베이스(4)에 전극을 형성할 수 있는 고농도의 외부 베이스접합영역(12)을 형성하는 공정(E)을 포함하는 인듐을 이용한 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
|
