InP기판(31) 위에 활성층(32), 광도파로층(33)을 갖고, 그 위에 클래딩층(34)과 오옴접촉층(35)으로 구성된 릿지 위에 이 릿지의 윗층의 폭 r과 같은 폭을 갖는 p-전극 금속 스트라입(38), 폭 w(w<r)의 오옴접촉창(window) 스트라입을 갖는 유전체 물질(39), p-면 본딩패드 금속(40)이 순차 형성된 구성을 갖는 RWG형 반도체 레이저장치

제1항에 있어서, 활성층(32) 아래 또는 윗쪽의 광도파로층(33)에 회절격자를 갖는 것을 특징으로 하는 RWG형 반도체 레이저장치

제1항에 있어서, 상기 기판(31)과 활성층(32) 사이에 광도파로층(33)을 하나 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 RWG형 반도체 레이저장치

제1항에 있어서, 상기 릿지를 채널형태로 갖는 것을 특징으로 하는 RWG형 반도체 레이저장치

제1항에 있어서, 활성층(32)이 양자 우물(Quantum Well)구조로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

제1항에 있어서, 상기 활성층(32)이 스트레인(Strain)을 갖는 양자 우물구조로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저

InP(31) 위에 활성층(32), 광도파로층(33), 클래딩층(34), 오옴접촉층(35)을 순차 형성한 웨이퍼상에 10∼40㎛의 폭을 갖는 유전체 박막(36)을 마스크로 하여 Zn을 확산한 다음, p-전극 금속 스트라입(33)을 형성하고, 이를 열처리한 후 이를 에칭 마스크로 이용하여 릿지 형성을 위한 채널에칭을 하고, 그 위에 유전체 물질(39)을 증착하고, 폭 w(w<r)의 오옴접촉창 스트라입 형성을 위한 에칭을 한 후 본딩패드 금속(40)을 증착하고, m-전극 금속(41)을 기판(31) 뒷면에 형성하는 RWG형 반도체 레이저장치의 제조방법

제7항에 있어서, Zn 확산공정을 하지 않고 p-전극 금속 스트라입 형성을 한 후 반도체 레이저를 제조하는 것을 특징으로 하는 RWG형 반도체 레이저장치의 제조방법

제7항에 있어서, 릿지 에칭후 유전체 물질(36)을 제거하고 반도체 레이저를 제조하는 것을 특징으로 하는 RWG형 반도체 레이저장치의 제조방법

제7항에 있어서, 상기 p-전극 금속 스트라입을 리프트오프 공정에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 RWG형 반도체 레이저장치의 제조방법

제7항에 있어서, 릿지 에칭을 선택 화학에칭의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 RWG형 반도체 레이저 제조방법

제7항에 있어서, 릿지 에칭을 건식식각(dry etching)의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 RWG형 반도체 레이저 제조방법