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통신용고온초전도고리형공진기의제조방법

  • 기술번호 : KST2015100448
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수 GHz이상의 고주파대역에서 사용되는 이동통신 및 위성통신 시스템에서의 불필요한 잡음(nose)을 제거할 수 있고, 손실 특성들의 향상된 고온초전도 고주파 공진기의 제조방법에 관한것으로, 특히 임계온도(Tc)이하에서는 전기 저항이 없어지는 고온초전도 박막을 이용하고 소장의 구조는 고리형(ring type)으로 함으로써 경박단소화와 저온 고주파 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 통신용 고주파 고리형 공진기(Ring resonator)의 제조방법에 관한것이다.
Int. CL H03H 3/00 (2006.01)
CPC H01P 7/08(2013.01) H01P 7/08(2013.01) H01P 7/08(2013.01)
출원번호/일자 1019920025028 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0085625-0000 (1995.06.12)
공개번호/일자 10-1994-0017120 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019950002070 (19950310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종용 대한민국 서울특별시서초구
2 강광용 대한민국 대전직할시대덕구
3 성건용 대한민국 대전직할시중구
4 서정대 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135948-81
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135952-64
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135950-73
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135949-26
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135951-18
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.11.19 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135953-10
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135954-55
8 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135955-01
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045222-13
10 등록사정서
Decision to grant		 1995.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045223-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

통신용 고온초전도 고주파 고리형 공진기를 제조하는 방법에 있어서, 유전체기판(10)위에 레이저 증착법(PLD)에 의해 고온초전도박막(20)을 증착하는 제1공정과, 상기 유전체기판(10)의 하부표면에 필드누설 방지를 위한 금속박막(30)을 형성하는 제2공정과, 상기 고온초전도박막(20)위에 소정의 두께로 절연체보호막(40)을 증착하고 공진기패턴을 형성하는 제3공정과, 상기 고온초전도박막(20)을 식각하여 고리형 공진기의 패턴을 형성하는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 통신용 고온초전도 고리형 공진기(Ring Resonator)의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 금속박막(30)은 Au와 Cu중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 통신용 고온초전도 고리형 공진기(Ring Resonator)의 제조방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속박막(30)을 합금화시키기 위한 열처리공정을 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 통신용 고온초전도 고리형 공진기(Ring Resonator)의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 금속박막(30)대신 고온초전도박막이 증착되는 것을 특징으로 하는 통신용 고온초전도 고리형 공진기(Ring Resonator)의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 고리형 패턴형성공정은 ECR 방법과 RIE 방법 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 통신용 고온초전도 고리형 공진기(Ring Resonator)의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.