맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체기판상에SIO2막의형성방법

  • 기술번호 : KST2015100449
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판상에 유전체막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 염소를 기판과 SiO2막의 계면에 주입되게 하는 유전체막 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 SiO2막을 형성할때 산화과정의 마지막 단계에서 3~5분간 O2가스에 대한 분율 1~3%정도의 TCA(C2H3CI3) 또는 TCE(C 2HCI3)와 O2가스 또는 O3가스의 혼합 가스에서 상기 SiO2막을 형성하여 상기 실리콘기판과 SiO2막 사이의 계면에 Cl가 축적되게 하는 것을 특징으로 하는 유전체막의 형성방법이다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02238(2013.01) H01L 21/02238(2013.01)
출원번호/일자 1019920025029 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0105535-0000 (1996.10.04)
공개번호/일자 10-1994-0016583 (1994.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019960008904 (19960705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유병곤 대한민국 대전직할시서구
2 유종선 대한민국 대전직할시대덕구
3 남기수 대한민국 대전직할시중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135956-46
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135958-37
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135959-83
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135960-29
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135957-92
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.11.19 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135961-75
7 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135962-10
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135963-66
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045224-04
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135966-03
11 의견서
Written Opinion		 1996.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135964-12
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135965-57
13 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045225-49
14 등록사정서
Decision to grant		 1996.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045226-95
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판(1)상에 SiO2막(2)을 유전체막으로서 성장시키는 산화공정중에 마지막 3 내지 5분간 O2가스에 대한 분율 1~3% 정도의 TCA(trichloroethane; C2H3Cl3) 또는 TCE(trichloroethylene; C2HCl3)와 O2 가스 또는 O3 가스의 혼합가스를 산화로에 도입하고 SiO2막(2)을 성장시켜 상기 실리콘 기판(1)과 그 SiO2막(2) 사이의 계면에 Cl가 축적되게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상에 SiO2막의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.