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박막기술을이용한진공소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015100450
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계를 인가하여 전자를 전극(이하, 방출전극이라 함)으로부터 방출시켜 구동하는 진공소자를 규소기판상에 제조하는 방법에 관한 것으로 수전전극용 기판(11)상에 규소산화막(10)과 규소질화막(12)을 순차적으로 형성하는 공정과, 적층된 막(10), (12)을 소정패턴으로 식각한 다음 기판(11)의 노출된 부분에서 제 1 절연막(13)을 형성하는 공정과, 적층된 막(10)(12)을 제거한 다음 그 제거부분에 소정두께를 갖는 제 2 절연막(14)을 형성하는 공정과, 제1 및 제 2 절연막(13,14)상에 방출전극용 금속을 형성한 다음 소정패턴으로 식각하여 방출전극(15)을 형성하는 공정과, 제 2 절연막(14)을 습식식각한 다음 제 1 절연막(14)을 소정부분까지 식각하는 공정을 포함하는 박막 기술을 이용한 진공소자의 제조방법.
Int. CL H01J 31/12 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1019920025031 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0101038-0000 (1996.06.22)
공개번호/일자 10-1994-0016903 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019960003495 (19960314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성원 대한민국 대전직할시유성구
2 강원구 대한민국 대전직할시대덕구
3 안근영 대한민국 서울특별시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135980-32
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135981-88
3 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135979-96
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135983-79
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135982-23
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135984-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045232-69
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.08.14 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135985-60
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.09.13 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135986-16
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.10.13 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135987-51
11 의견서
Written Opinion		 1995.11.13 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135989-42
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.11.13 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135988-07
13 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045233-15
14 등록사정서
Decision to grant		 1996.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045234-50
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

수전전극용 기판(11)상에 규소산화막(10)과 규소질화막(12)을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 적층된 막(10), (12)을 소정패턴으로 상기 기판(11)이 노출되도록 식각하는 공정과, 상기 기판(11)의 노출된 부분에 두꺼운 제1절연막(13)을 형성하는 공정과, 상기 적층된 막(10)(12)을 제거하여 기판(11)을 노출시키고 그 노출된 부분에 박막의 제2절연막(14)을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2절연막(13, 14)상에 방출전극용 금속을 형성한 다음 소정패턴으로 식각하여 방출전극(15)을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막(14)을 습식식각한 다음 제1절연막(14)을 소정 부분까지 식각하는 공정을 포함하는 박막기술을 이용한 진공소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.