요약 | 본 발명은 이중접합소자의 표면처리 방법에 관한 것으로서, 종래에 보호띠를 헝성하지 않고서 본 발명에서는 노출된 에미터(9)-베이스전극(11)간의 표면을 수소의 ECR플라즈마에 의해 수소화처리를 하고 (A공정), 연이어 저온 ECR 질화막(12)을 증착하고(B 공정), 2차 연결전극(13)을 형성하는 공정들을 제공함으로써 소자의 전류이득을 향상시킬 수 있다. |
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Int. CL | H01L 27/06 (2006.01) |
CPC | H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019930027631 (1993.12.14) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0122393-0000 (1997.09.04) |
공개번호/일자 | 10-1995-0021512 (1995.07.26) 문서열기 |
공고번호/일자 | 1019970008364 (19970523) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1993.12.14) |
심사청구항수 | 1 |