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초고집적혼합형반도체장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015100459
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속, 초고집적 반도체 소자 제조를 위한 바이폴라(Bipolar)와 CMOS의 복합형 소자 제조 방법에 관한 것으로 특히 고속과 동시에 고집적을 요구하는 컴퓨터 및 통신용 집적회로에 응용 가능한 기술이다. 종래의 혼합형 소자에서는 혼합형 소자를 구성하는 PMOS 소자가 게이트 재료로서 n형의 다결정 실리콘을 사용하기 때문에 메몰 채널형(buried channel type) 트랜지스터로서 동작을 하게 된다.이 경우 초고집적을 위하여 소자 크기(채널 길이)가 0.5㎛ 이하로 줄어들게 되면 누설전류 문제 등 “짧은 채널 효과(short channel effects)”가 발생하게 되어 더 이상 집적회로 제작에 응용할 수 없게 된다.본 발명에서는 이와같은 문제를 해결하기 위하여 PMOS소자의 게이트 재료로서 바이폴라 베이스 전극으로 사용되는 P형의 다결정실리콘을 이용하여, PMOS 소자의 동작특성을 표면 채널형(surface channel type)으로 변환하였다. 이렇게 함으로서 PMOS소자의 최소 크기를 0.5㎛ 이하까지 줄일 수 있게 됨으로서 초고집적 집적회로의 제조가 가능하게 되었다.
Int. CL H01L 27/092 (2006.01)
CPC H01L 21/8249(2013.01) H01L 21/8249(2013.01) H01L 21/8249(2013.01) H01L 21/8249(2013.01)
출원번호/일자 1019940031321 (1994.11.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0019707 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광수 대한민국 대전직할시유성구
2 백규하 대한민국 대전직할시유성구
3 김천수 대한민국 대전직할시유성구
4 강진영 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141250-97
2 특허출원서
Patent Application		 1994.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141248-05
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141249-40
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141251-32
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141252-88
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0078869-63
7 의견서
Written Opinion		 1998.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141254-79
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141253-23
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141255-14
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0078870-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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동일 기판상에 바이폴라 트랜지스터, 및 NMOSFET과 PMOSFET을 포함하는 CMOS 전계효과트랜지스터가 형성되어 있는 초고집적 혼합형 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 PMOS 소자가 짧은 채널효과(short channel effect)의 방지에 우수한 동작특성을 발휘할 수 있도록 PMOS 소자의 게이트를 P형의 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 초고집적 혼합형 반도체 장치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.