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습식식각에의한GAAS기판의새로운관통구멍형성방법

  • 기술번호 : KST2015100468
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모노리틱 마이크로 웨이브 집적 회로(MMIC)나 디지탈 집적 회로(DIC)제작에 활용할 수 있는 비소화 갈륨 기판의 관통 구멍 형성 방법에 관한 것이다.습식 시각에 의한 비소화 갈륨 기판의 관통 구멍 형성에서 측면 식각을 줄이고, 식각시 기판면을 균일하고 일정한 식각률을 유지하여 원형 또는 사각형의 관통 구멍을 얻을 필요가 있다.습식 식각에 의해 비소화 갈륨 기판에 관통 구멍(via hole)을 형성할때, 측면 식각을 최대한 줄이기 위해 비소화 갈륨 기판을 사포 연마하고, 특수 제작된 다이어 기판을 왁스로 부착하여 0.05-1 마이크로미터 두께의 알루미나 분말로 GaAs 기판을 50-100 마이크로미터까지 2차적으로 연마한 후, 거칠어진 표면의 경면 연마를 위해 NH4OH:H2O2:H2O용액을 사용하여 식각한다. 상기 기판의 부서짐을 방지하고 취급의 안전을 위해 Az 1375 포토 레지스트를 사용하여 마이크로 슬라이드 유리에 부착하고, 80 ML(85W/O)H3PO4:80 ML(30W:O)H2O2:30 ML H2O의 새로운 배합비를 가진 식각액을 사용하여 60-70℃의 온도 범위에서 식각하여 관통 구멍을 형성함으로써 측면 식각을 줄이고 마스크 패턴 형태와 관통 구멍의 형태가 가장 잘 일치하여 MMIC나 DIC 제작에 바로 활용할 수 있다.
Int. CL H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/30612(2013.01)H01L 21/30612(2013.01)
출원번호/일자 1019880015987 (1988.12.01)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0050786-0000 (1992.04.14)
공개번호/일자 10-1990-0010936 (1990.07.11) 문서열기
공고번호/일자 1019910008982 (19911026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.12.01)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤광준 대한민국 대전시대덕구
2 김동구 대한민국 충남대전시동구
3 박형무 대한민국 대전시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1988.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1988-0092989-72
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1988-0092990-18
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1988-0092991-64
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1991.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0051463-67
5 등록사정서
Decision to grant		 1992.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0051465-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

습식 식각에 의한 GaAs 기판의 관통구멍 형성공정에 있어서, 측면 식각을 최대한 줄이기 위한 GaAs기판 사포연마공정, 특수 제작된 다이어기판을 왁스로 부착하여 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.