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영상기법을이용한화합물반도체의결함인식방법

  • 기술번호 : KST2015100479
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체에서 전기적 성질에 영향을 주는 에너지 갭내에 존재하는 결함레벨을 특성분석을 위해 결함을 영상화 하는 영상기법을 이용한 화합물 반도체(GaAs)의 결함 인식방법에 관한 것으로 종래에는 성장기술이 미숙하고 결함분포가 균일하지 않아 동일 칩내의 각 소자간 전기적 특성이 일정않고 심한 분산을 일으키는 문제점들이 있었다.본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 제품의 성능에 영향을 주는 결함분포를 이해할 수 있도록 한 것으로 광원을 통해 시편을 투과시키고 이 투사된 광을 카메라로 영상을 취득하여 실연 영상을 모니터하고 동시에 카메라에서 취득된 아나로그 디지탈 신호로 변환시켜 주는 PC로 전송시켜 필요한 영상처리를 하여 결함의 공간적 분포와 상대적 밀도를 시각화 한 것이다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/20(2013.01) H01L 22/20(2013.01) H01L 22/20(2013.01)
출원번호/일자 1019940028978 (1994.11.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0138855-0000 (1998.02.23)
공개번호/일자 10-1996-0019635 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오행석 대한민국 대전직할시유성구
2 송석재 대한민국 대전직할시유성구
3 강성준 대한민국 전라남도무안군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131052-74
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131054-65
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131053-19
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131055-11
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131056-56
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0073310-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

광원발생수단에 의해 발생된 광원을 관찰하고자 하는 시편에 통과시키고, 투사된 광을 카메라 수단을 통해 영상을 취득하고 이를 카메라 모니터로 실연영상을 모니터하고, 동시에 카메라 수단에서 취득된 아나로그 영상신호를 PC를 통해 디지탈 영상화하여 저장하고 필요한 영상을 처리하는 영상기법을 이용한 화합물 반도체(GaAs)의 결함인식방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 광원이 시편을 통과하기 전에 에너지 갭이하의 광에너지만 시편에 투사되도록 광필터를 부가하여 설치한 영상기법을 이용한 화합물 반도체(GaAs)의 결함인식방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 광원발생수단으로 할로겐 램프를 사용한 영상기법을 이용한 화합물 반도체의 결함인식방법

4 4

제1항에 있어서,

카메라 수단을 근적외선대(1-2 eV)광에너지에 민감한 적외선 카메라를 사용한 영상기법을 이용한 화합물 반도체의 결함인식방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.