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수소화에의한표면방출레이저다이오드공진표면의비활성화처리방법

  • 기술번호 : KST2015100481
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제작방법에 관한 것으로, 식각된 공진층의 표면을 전기적으로 비활성처리를 하기 위해 수소플라즈마 분위기에서 수소화처리하는 방법으로서, 본 발명에 의한 수소화 방법은 비교적 저온에서(100-300℃)에서 글로우 방전(glow discharge) 방법 등을 이용하여 수소플라즈마를 발생시키고 그 분위기에서 30분-2시간 가량 수직공진형 표면방출 레이저를 넣어 표면의 0.5∼1.0μm 깊이까지 수소가 들어가게 함에 특징이 있다.
Int. CL H01S 5/18 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/183(2013.01)
출원번호/일자 1019940027168 (1994.10.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0146710-0000 (1998.05.12)
공개번호/일자 10-1996-0016033 (1996.05.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.10.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병수 대한민국 대전직할시대덕구
2 박효훈 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.10.24 수리 (Accepted) 1-1-1994-0123204-85
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.10.24 수리 (Accepted) 1-1-1994-0123203-39
3 특허출원서
Patent Application		 1994.10.24 수리 (Accepted) 1-1-1994-0123202-94
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0123205-20
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0123206-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0068895-61
7 의견서
Written Opinion		 1998.01.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0123207-11
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.01.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0123208-67
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0068896-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

수직공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제작방법에 있어서, 식각된 공진기의 비활성화 처리를 목적으로 100∼300℃의 저온에서 10-1∼10-4torr의 수소압력으로 30분 내지 2시간 동안, 수소 플라즈마 분위기에서 식각된 공진기 표면을 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.