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수직구조의바이폴라다이나믹램셀의제조방법

  • 기술번호 : KST2015100509
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다이나믹 램의 계속적인 고밀도화 추세에 따라 평면구조의 다이나믹 셀 구조는 그 한계점에 이르러 새로운 수직구조형 DRAM Cell의 개발이 요구되는데, 본 발명은 집적도면에서 우수한 수직구조의 바이폴라 다이나믹 램 셀 제조방법에 관한 것으로 종래의 바이폴라 다이나믹 램 셀 제조공정은 워드라인용 폴리실리콘 막 형성과 평탄화 공정에서 감광막 에치백(etch-bacl)공정시 감광막 도포공정이 패턴간격 및 외형비(aspect ration)등에 영향을 받고 워드라인 폴리실리콘막과 기억 폴리실리콘막간의 전기적 격리공정 및 콜렉터 영역의 자기매립 접촉 형성공정에서 과도한 열처리가 워드라인 폴리실리콘을 통한 베이스영역에의 도핑 조절을 어렵게 하고 콜렉터위의 질화막에 스트레스를 유발시켜 콜렉터 측면이 산화되어 콜렉터 영역이 좁아져서 생산성이 저하되므로 폴리실리콘의 폴리쉬(polish) 공정을 사용하여 워드라인 형성 공정과 평탄화 공정을 간편화하고 워드라인과 기억폴리실리콘간의 전기적 격리 및 콜렉터 영역에서의 자기매립 접촉영역 형성공정의 여유도와 균일성을 향상시켜 수직구조의 바이폴라 다이나믹 램 셀 제작의 생산성을 높인다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01)
CPC H01L 27/10855(2013.01) H01L 27/10855(2013.01) H01L 27/10855(2013.01)
출원번호/일자 1019930012753 (1993.07.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0117364-0000 (1997.07.01)
공개번호/일자 10-1995-0003917 (1995.02.17) 문서열기
공고번호/일자 1019970005115 (19970412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.07.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이춘수 대한민국 대전직할시유성구
2 여순일 대한민국 대전직할시유성구
3 채상훈 대한민국 대전직할시유성구
4 이규홍 대한민국 대전직할시유성구
5 이진효 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068099-17
2 특허출원서
Patent Application		 1993.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068097-15
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068098-61
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068100-76
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068101-11
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068102-67
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0023891-56
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068104-58
9 의견서
Written Opinion		 1996.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068103-13
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0023892-02
11 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0068105-04
12 등록사정서
Decision to grant		 1997.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0023893-47
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

N-형 실리콘 기판(1-c)위에 P-실리콘 영역(1-b)과 N-실리콘 영역(1-a)을 형성하고 그 위에 질화막(2)과 산화막(3)을 증착하고 감광막 패턴(4)을 마스크로 하여 상기 질화막(2)과 산화막(3)을 건식식각한 후, 상기 산화막을 마스크로 하여 N-실리콘 영역(1-a)을 건식식각하고 노에서 베이스 접촉 영역을정의하는 산화막(5)을 성장시킨 후 P-실리콘 영역(1-b)을 건식식각하고 질화막(7)을 증착시켜 N+실리콘 영역(8)과 필드 산화막(9)을 형성하는 공정과, 폴리실리콘(10)을 증착하여 폴리쉬하고 상기 산화막(3)을 마스크로 하여 상기 폴리실리콘(10')을 식각하고 질화막(11)과 산화막(14)을 증착한 후 감광막 패턴(15)을 형성한 후 상기 폴리실리콘(10')을 건식식각하여 워드라인을 형성하는 공정과, 산화막(16)과 폴리실리콘막(17)을 증착하여 상기 폴리실리콘막을 폴리쉬하고 마스크로 하여 산화막(14,16)을 건식식각하여 콜렉터 자기매립 접촉 영역을 형성하는 공정과, 폴리실리콘막(18)을 건식식각한 후 플레이트 폴리실리콘막(22)을 증착하여 비트라인을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조의 바이폴라 다이나믹 램 셀 제조방법

2 2

제1항에 있어서, N+실리콘 영역 형성공정에서 N+영역간의 거리(d)는 확산에 의해 조절시키는 것을특징으로 하는 수직구조의 바이폴라 다이나믹 램 셀 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 워드라인 형성공정에서 상기 산화막(14)과 상기 감광막 패턴(15)을 마스크로서 병용하여 P+폴리실리콘막(10')을 식각하는 것을 특징으로 하는 수직구조의 바이폴라 다이나믹 램 셀 제조방법

4 4

N-형 실리콘 기판(1-c)위에 P-실리콘 영역(1-b)과 N-실리콘 영역(1-a)을 형성하고 그 위에 질화막(2)과 산화막(3)을 증착하고 감광막 패턴(4)을 마스크로 하여 상기 질화막(2)과 산화막(3)을 건식식각하고 상기 산화막(3)을 마스크로 하여 N-실리콘 영역(1-a)과 P-실리콘 영역(1-b)을 건식식각한 후 N+실리콘 영역(8)과 필드산화막(9)을 형성하는 공정과, 폴리실리콘(10)을 증착하여 폴리쉬하고 산화막(3)을 마스크로 하여 건식식각한 다음 베이스 접촉 영역을 정의하는 산화막(5)을 성장시킨 후 질화막(11)과 상기 산화막(5)을 건식식각하고 감광막 패턴(15)을 형성한 후 상기 폴리실리콘(10)을 건식식각하여 워드라인을 형성하는 공정과, 산화막(16)과 폴리실리콘(17)을 증착한 후 플레이트 폴리실리콘막(22)을 증착하여 비트라인을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조의 바이폴라 다이나믹 램 셀 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.