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확산장벽층형성방법

  • 기술번호 : KST2015100518
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 확산 장벽층 형성방법에 관한 것으로서, 소정 도전형의 확산영역이 형성된 실리콘기판 상에 상기 확산영역을 노출시키는 개구를 갖는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 표면 및 측면과 상기 확산영역의 상부에 고융점 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속층을 질소 또는 암모니아 분위기에서 제1 및 제2 급속 열처리 단계로 저저항층과 확산 장벽층을 형성하는 공정을 구비한다.따라서, 저저항층을 얇게 하면서 확산 방지층을 두껍게 형성할 수 있어 확산 방지 특성을 향상시키면서 반도체기판과의 계면에서 스트레스를 감소시킬 수 있으며, 또한, 실리콘기판과 저저항층의 계면을 균일하게 하고 저저항층의 부피 변화를 감소시켜 접합 누설이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 21/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950042072 (1995.11.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0174878-0000 (1998.11.06)
공개번호/일자 10-1997-0030291 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (19990401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤태 대한민국 대전광역시유성구
2 전치훈 대한민국 대전광역시유성구
3 백종태 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0166519-37
2 특허출원서
Patent Application		 1995.11.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0166517-46
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0166518-92
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0166520-84
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0166521-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0088039-19
7 의견서
Written Opinion		 1998.08.03 수리 (Accepted) 1-1-1995-0166523-10
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.08.03 수리 (Accepted) 1-1-1995-0166522-75
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.08.03 수리 (Accepted) 1-1-1995-0166524-66
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0088040-55
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

소정 도전형의 확산영역이 형성된 실리콘기판 상에 상기 확산영역을 노출시키는 개구를 갖는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 표면 및 측면과 상기 확산영역의 상부에 고융점 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속층을 질소 또는 암모니아 분위기에서 제1 및 제2급속 열처리 단계로 저저항층과 확산 장벽층을 형성하는 공정을 구비하는 확산 장벽층 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1급속 열처리 단계를 400~500℃의 온도에서 60~300초의 시간 동안 실시하는 확산 장벽층 형성방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 제1급속 열처리 단계시 실리콘기판과 금속층의 계면이 반응되지 않으면서 분위기 가스인 질소는 상기 금속층의 내부로 확산되어 확산된 질소 중 일부가 금속과 반응하여 확산 장벽층을 형성하고 금속과 반응되지 않고 남은 질소가 금속층의 내부에 잔류하는 확산 장벽층 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 제2급속 열처리 단계를 700~1000℃의 온도에서 30~60초의 시간 동안 실시하는 확산 장벽층 형성방법

5 5

제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 제2 급속 열처리 단계시 상기 제1단계에서 반응되지 않고 상기 금속층 내부에 잔류하는 질소가 추가적인 열에너지의 공급에 의해 금속과 반응하여 상기 확산 장벽층을 성장시켜 두껍게 하고, 상기 실리콘기판과 상기 금속층의 계면이 반응되어 저저항층을 형성하되, 상기 확산 장벽층이 상기 저저항층에 비해 약 2배 정도 두껍게 형성하는 확산 장벽층 형성방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 급속 열처리 단계 전에 상기 금속층에 질소 이온을 주입하는 공정을 더 구비하는 확산 장벽층 형성방법

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1 US05885898 US 미국 FAMILY

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1 US5885898 US 미국 DOCDBFAMILY
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